Л InGaAsP

Рис. 22.148. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в InAs сплошная линия — расчет [255] и (300 К), 10 см- Л — 1,7 Рис. 22.151. Зависимость эффективной массы электронов О — 4 i — 0,4 В /г-InSb от концентрации электронов [264]

Уровень Ферми располагается как раз посередине запрещенной зоны (рис. 6.3, кривая 1). С повышением температуры он смещается вверх ко дну зоны проводимости, если Шр > trin (кривая 2, рис. 6.3), или вниз к потолку валентной зоны, если Шр < т-п (кривая 3, рис. 6.3). В большинстве случаев это смещение настолько незначительно, что им можно пренебречь и считать, что уровень Ферми в собственных полупроводниках располагается посередине запрещенной зоны. Однако у ряда полупроводников оказывается много больше Шп (у InSb, например, Шр л 10/п ) и изменением положения уровня Ферми при изменении температуры препебре-тать уже нельзя. [c.163]

Переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону сопровождаются выделением энергии has л Eg. У многих полупроводников такой процесс рекомбинации электронно-дырочных пар носнт преимущественно безызлучательный характер выделяющаяся энергия отдается решетке и в конечном счете превращается в тепло. Однако у таких полупроводников, как GaAs, GaP, InSb, Si и др., рекомбинация может быть в значительной мере иэлучапгель-ной энергия при рекомбинации выделяется в форме квантов света — фотонов. [c.331]

По данным [169] удельное электросопротивление трех монокристаллов InSb I с проводимостью л-типа при 55, 77 и 195 °К колебалось в пределах 0,050—0,156, 0,060— [c.483]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...