Методы расплавных материалов

Рядом авторов были исследованы кольцевые структуры, образующиеся на поверхности Si, имплантированного ионами высоких энергий, под действием пикосекундных лазерных импульсов. Исследования методом комбинационного рассеяния показали, что внешнее кольцо является областью рекристаллизованного Si, а внутри него расположено кольцо аморфизованного материала. Простейшая расплавная модель не дает удовлетворительного объяснения этому факту. Действительно, в рамках этой модели аморфизация происходит в тех областях, где плотность энергии излучения мала и, следовательно, мала толщина расплавленного слоя, что приводит к высокой скорости остьгоания, превышающей скорость фронта кристаллизации. С этой точки зрения (в предположении гауссово го поперечного распределения интенсивности лазерного пучка) образование кристаллической области снаружи от аморфной представляет собой аномалию. [c.153]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...