Т ранзистор

Для образования змиттерных областей N+-THna (эмиттера, Т)ранзистора, катода, диода, обкладки конденсатора, омических контактов) к коллекторным областям проводят диффузию легирующей примесью пятивалентного фосфора (перед этой операцией повто1ряются операции со 2-й по 7-ю). На этом заканчивается формирование всех элементов ИС. [c.95]

Г 1— J 2 0 Ф Резистор годен Т ранзистор годен Транзистор ие годен [c.125]

V Приборы электровакуумные Приборы полупроводниковые Диод, стабилитрон Прибор электровакуумный Т ранзистор УО У1 УТ [c.312]

Т ранзисторы — представляют собой трехэлектродные полупроводниковые элементы. Возможны три схемы включения транзистора [c.35]

Рис. 14.13. Сходимость потенциала и квазиуровня Ферми в узле, находящемся в области канала МОП ранзистора в режиме насыщения

После установления достаточно сильной положительной обратной связи между ранзисторами начинается этап лавинообразного роста анодного тока тиристора [c.195]

Рассчитаем Г-звено для согласования на входе усилителя 50-омного коаксиального кабеля (/ /) со входным сопротивлением т ранзистора = 5 Ом , [c.142]

Наиболее распространён кремниевый МОП-т ранзистор (металл — окисел металла — полупроводник). На подложке 81 р-типа (рис.) окислением создаётся тонкий диэлектрич. слой двуокиси 8102 (толщиной 1000 А) и наносится металлич. электрод (затвор). Под поверхностью диэлектрика в 81 р-типа создаются на нек-ром расстоянии друг от друга две области с электронной проводимостью, к к-рым подводятся Л1еталлич. контакты (исток и сток). Если к затвору приложить положит, потенциал, то все эл-ны под ним в 81 (р) притянутся к тонкому слою диэлектрика, создав там проводящий инверсионный слой п-типа. В результате между стоком и истоком образуется канал, по к-рому течёт ток. Подобная система эквивалентна вакуумному триоду (исток — катод, сток — анод, затвор — сетка). Она может служить также элементом памяти. Для этого диэлектрик делается двухслойным — тонкий слой 8102 и нитрида кремния. Электрич. заряд, введённый в 81, можно (с помощью нек-рых физ. процессов) перевести из 81 в ловушки на границе окисел — нитрид. В этих ловушках заряд сохраняется длительно после снятия напряжения между затвором и подложкой (запоминание). Это состояние можно считывать по изменению свойств приповерхностной области подложки. М— Д — П-с.— один из базовых элементов твердотельной электроники. Они служат также для изучения поверхностных свойств полупроводников (вблизи его границы с диэлектриком). [c.399]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...