ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Свойства оксидов и окисление из "Коррозия и борьба с ней " При 10 % Сг скорость окисления снова падает, возможно вследствие образования пленки, состоящей из Сг Оз, а не из NiO 125а], что меняет скорость миграции ионов иначе, чем описано выше. [c.197] Из уравнения (2) следует, что повышение парциального давления кислорода для полупроводников р-типа должно сопровождаться увеличением концентрации вакансий и дырок на границе кислород — оксид. В соответствии с этим окисление меди протекает быстрее при повышенном давлении Ог [27]. [c.198] Скорость окисления цинка почти не зависит от давления О , так как концентрация промежуточных ионов цинка на границе раздела кислород — оксид очень мала и дальнейшее ее снижение вследствие повышения давления Ог лишь незначительно влияет на градиент концентрации между границей раздела и поверхностью металла, где концентрация Zn + в междоузлиях наибольшая. [c.198] Следы примесей, определяющих свойства полупроводников, существенно влияют и на скорость окисления металлов, покрытых полупроводниковыми пленками. С другой стороны, легирующие компоненты, присутствующие в больших количествах (например, более 10 % Сг — Ni), оказывают влияние на скорость окисления не только изменяя полупроводниковые свойства пленок, но и путем изменения их состава и структуры. [c.198] Вернуться к основной статье