ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Методы оценки физико-механического состояния поверхности из "Справочник технолога-машиностроителя Том 1 Изд.4 " Применение инструментов с отрицательными передними углами от 15 до 45° способствует образованию в поверхностном слое остаточных напряжений сжатия. При увеличении заднего угла в пределах 3—15° глубина наклепа уменьшается. При уменьшении главного угла в плане от 90 до 45° глубина наклепа снижается. Применение тщательно доведенного инструмента способствует уменьшению глубины наклепа. Увеличение радиуса скругле-ния режущей кромки способствует возрастанию глубины наклепа и остаточных напряжений. [c.111] С повышением твердости обрабатываемого материала уменьшается объем, подвергаемый пластической деформации. Чем мягче сталь, тем глубже распространяется пластическая деформация. Остаточные напряжения возрастают при увеличении сопротивления деформации при повышении твердости. [c.111] Большую роль в обеспечении физических свойств поверхности играют методы пластического деформирования (накатывания роликами и шариками, вибрационного накатывания и т. д.). [c.111] Измерение микротвердости является основным методом определения механических характеристик поверхностного слоя. Микротвердость исследуют методом вдавливания алмазной пирамиды на приборах ПМТ-3 и ПМТ-5. Наиболее удобно исследовать глубину поверхностного слоя и изменение его микротвердости по мере удаления от поверхности по микрошлифу, выполненному в виде косого среза под углом 0° 30 —2°. [c.111] Остаточные напряжения широко исследуют, используя экспериментальные разрушающие методы Н. Н. Давиденкова, Г. Закса и др. Напряжения определяют расчетом по деформации образца после снятия с него напряженного слоя. [c.112] Рентгеновский метод целесообразно применять для оценки величины и знака напряжений в деталях малых размеров и сложной формы, для которых механические методы применять трудно, а также для исследования тонких слоев. Этот метод основан на измерении межатомных расстояний в напряженном и ненапряженном металле. Деформацию кристаллической решетки измеряют по дифракционным линиям, которые характеризуются смещением их относительно аналогичных линий у ненапряженного материала, а также шириной и интенсивностью. [c.112] Перспективным является метод определения остаточных напряжений по изменению электромагнитных свойств поверхностного слоя, который позволяет определять остаточные макронапряжения в тонком поверхностном слое без разрушения. Однако для построения полной эпюры напряжений требуется послойное стравливание металла. [c.112] Перспективен метод бесконтактного неразрушающего исследования деформаций детали для определения остаточных напряжений методом голографической интерферометрии. Он пригоден для исследования деталей простой и сложной формы, позволяя обнаруживать области повышенной концентрации остаточных напряжений. [c.112] Поляризационно-оптический метод изучения остаточных напряжений в деталях из металлов и их сплавов в этом случае заменяют исследованием модели прозрачных и полупрозрачных оптически активных материалов (эпоксидных смол, стекла, плексигласа, целлулоида и др.), обеспечив в ней геометрическое, тепловое и механическое подобие. [c.112] Микронапряжения и статические искажения кристаллической решетки 3-го рода (напряжения 3-го рода) определяют только с помощью методов рентгеноструктурного анализа по уширению интерференционных линий на рентгенограммах и дифрактограммах. [c.112] Электронную микроскопию применяют для изучения кристаллографии и дефектов структуры. Изображение можно получить в проходящих лучах (просвечивающая электронная микроскопия) и в отраженных. [c.112] Просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ) позволяют получить разрешение до 10 м (10 А). Для исследования поверхности с нее необходимо снимать тонкие, прозрачные для электронов реплики (отпечатки). [c.112] Отражательные электронные микроскопы работают по принципу сканирования ( ощупывания ) исследуемой поверхности электронным лучом, имеющим развертку по двум взаимно перпендикулярным направлениям (растровые электронные микроскопы — РЭМ). Изображение в РЭМе получается на экране электронно-лучевой трубки и может быть сфотографировано. Диаметр электронного пучка не превышает 10 м (100 А), что позволяет исследовать малые участки поверхности. [c.112] Основное преимущество электронных микроскопов по сравнению с оптическими заключается в сочетании большого увеличения (до 100 ООО у РЭМ и 500 000 у ПЭМ) с большой глубиной резкости (порядка единиц и десятков микрометров). Это позволяет при большом увеличении детали одновременно наблюдать поверхности, находящиеся на разных высотах, и получить наглядное объемное изображение структуры поверхности. [c.112] Для получения информации о процессах деформации, фазовых переходах, разрушении и других используют энергетический спектр экзоэлектронов. Эмиссия электронов, т. е. вылет электронов с поверхности металла, может быть вызвана различными причинами. Низкотемпературную эмиссию электронов раз.лич-ной природы объединяет экзоэлектронная эмиссия . К этому же методу относится метод анализа состояния поверхности с помощью измерения работы выхода электронов. Работа выхода чувствительна к фазовым превращениям, изменению напряженного состояния. [c.112] Измерения и анализ шероховатости, волнистости и некруглости поверхности. М. Машиностроение, 1978. 232 с. [c.113] Технологическое обеспечение эксплуатационных свойств деталей машин. М. Машиностроение, 1979. 176 с. [c.113] Вернуться к основной статье