ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы ПЛАСТМАССЫ (Заказное из "Материалы в приборостроении и автоматике " В зависимости от характера изменения свойств при облучении фоторезисты делятся на позитивные и негативные. Позитивные фоторезисты под действием излучения разрушаются, негативные — образуют нерастворимые соединения. [c.457] К фоторезистам, используемым при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, предъявляют следующие основные требования высокая светочувствительность, высокая разрешающая способность, стойкость к воздействию агрессивных факторов, стабильность эксплуатационных свойств во времени. [c.457] Фотолитографические процессы включают в себя множество операций от изготовления фотошаблонов до формирования элементов схем на подложке. В табл. 35 приведены точностные характеристики различных методов получения рисунка схемы. [c.457] Все фотолитографические процессы состоят из следующих основных one. раций формирование фотослоя — на. [c.457] Подготовка поверхности подложки. Обработка подложки, улучшающая адгезию фоторезиста к подложке, может производиться как в объеме растворителей, так и в их парах. Окисные пленки, которые образуются на металлических слоях на воздухе, удаляются при травлении в кислотах, растворяющих окислы. [c.458] Нанесение фоторезиста. Существует несколько способов нанесения фоторезиста на подложку центрифугирование, пульверизация, окунание, напыление в электростатическом поле, накатка валиком. [c.458] В настоящее время для нанесения фоторезиста на подложку в основном используется метод центрифугирования, Толщина пленки зависит от вязкости фоторезиста, скорости вращения центрифуги и времени центрифугирования. [c.458] Во время конверсионной сушки тепло к нагреваемому телу подводится от нагревателя через газовую фазу конверсией. Время сушки 10—30 мин при температуре 80—100°С. [c.458] При радиационной сушке тепло от границы фоторезист — подложка распространяется к поверхности слоя фоторезиста. Время сушки 3—7 мин. [c.458] Термокомпрессионная сушка осуществляется под избыточным давлением (5-10 Па) в среде азота, кислорода или воздуха. [c.458] Совмещение и экспонирование. Экспонирование фоторезиста может осуществляться контактным и проекционным способом. В случае использования электронорезистов и рентге-норезистов — электронным и рентгеновским излучением. Совмещение осуществляется базовым и визуальным методами. [c.458] Проявление заключается в удалении после экспонирования ненужных участков фоторезиста с поверхности подложки. [c.458] Задубливание защитного рельефа фоторезиста основано на испарении остатков проявителя и дальнейшей тепловой полимеризации фоторезистов. Температура второй сушки более высокая, что повышает защитные свойства рельефа. [c.458] Травление. Производится травление участков, незащищенных слое.м фоторезиста. Выбор травителей определяется химическими свойствами растворяемого материала. [c.458] Удаление фоторезиста. Используются в основном химические и термические способы. [c.458] Контроль качества фотолитографических операций осуществляется на всех этапах процесса. Контроль геометрических размеров производится на микроскопах МБС-200, ММИ, БМИ-1, МССО. [c.458] Толщина слоев проверяется с помощью металлографических микроскопов МИМ-7, МИИ-11, МИИ-4. [c.458] Растворители для фоторезистов. Диметилформамид (СНз)2КСОН (молекулярная масса 73,09) — бесцветная подвижная жидкость со слабым специфическим запахом. Температура плавления —61 С, температура кипения 153 °С при давлении 1030 гПа. Смешивается с водой, спиртом, ацетоном, эфиром, сероуглеродом, галоино-содержащими и ароматическими соединениями. [c.458] Четыреххлористый углерод СС — бесцветная негорючая жидкость со сладковатым запахом. Температура кипения 76,75 °С. Плотность 1,593 г/см . [c.458] Вернуться к основной статье