ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Метод создания силовых высокочастотных полупроводниковых вентилей из "Кремниевые вентили " Электронно-дырочный переход высокочастотного вентиля создается посредством диффузии галлия или алюминия из газовой фазы в кремний электронной проводимости с последующим охлаждением с оиределенной скоростью. [c.145] Прп этом диффузия проводится или в атмосфере в кварцевом стакане, пли в запаянной кварцевой ампуле, заполненной аргоном или другим инертным газом. [c.145] Для получения достаточно тонкой базы (150— 180 мкм) берется кремний с соответствующим удельным сопротивлепием. [c.145] Величина удельного сопротивления кремния определяется, исходя из требуемого пробивного папряжения для диффузионного (плавного) перехода. [c.147] Для случая, когда удельное сопротивление кремния р = 60 ом-см и приложенное панряжсиле (7= 1 400 в, получим ширину объемного заряда 6=130 мкм. [c.148] Вернуться к основной статье