ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Конструкция и технология производства силовых полупроводниковых приборов из "Кремниевые вентили " Конструкция силовых полупроводниковых приборов определяется назначением и условиями работы прибора. [c.127] Конструктивное исполнение любого силового полупроводникового прибора должно обеспечивать получение минимальных весов и габаритов, необходимого срока службы, высокой эксплуатационной надежности, а также удобство группового соединения приборов. [c.127] Основным элементом всякого полупроводникового прибора, определяющим его электрические параметры и характеристики, является р-п-переход, который конструктивно выполняется в виде вентильного элемента. Вентильный элемент должен быть надежно защищен как от влияния окружающей среды, так и от различного рода механических повреждений. Поэтому корпус прибора, внутри которого размещается вентильный элемент, должен иметь высокую степень герметизации в течение всего срока службы и быть механически прочным. [c.127] Ё настоящее время силовые полупроводннкоиые вентили и тиристоры выпускаются рядом заводов электротехнической промышленности. Вентили выпускаются на обратные напряжения до 2 ООО в и токи до 750 а, тиристоры— на напряжения переключения до 1 500 в и токи до 300 а, причем имеется тенденция к повыщению этих параметров. [c.128] Силовые полупроводниковые приборы щироко применяются в электроустановках, химической и угольной промышленности, па судах, подвижном составе электрифицированных железных дорог и городского транспорта. Конструкция этих приборов должна обеспечивать их надежную работу при относительной влажности до 987о, изменениях температуры. окружающей среды от —50 до +50° С, ударных и вибрационных ускорениях, а также произвольных наклонах оси корпуса прибора. [c.128] Вернуться к основной статье