ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Переходные процессы в четырехслойных структурах типа из "Кремниевые вентили " Малый уровень инжекции соответствует в основном запертому состоянию р-л-р-л-структуры. Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базах р-п-р-п-структуры при больших уровнях инжекции рп Пп) показано на рис. 4-20. [c.121] Скорость протекания переходных процессов в четырехслойной структуре является одной из ее основных характеристик, определяющих быстродействие тиристоров, переключателей и других приборов, созданных на основе р-л-р-л-структур. [c.121] Рассмотрим процесс переключения р-л-р-л-структуры из состояния малой проводимости в состояние большой проводимости. [c.121] При наиболее часто применяемых первых двух способах переходный процесс включения р-п-р-га-структуры протекает в принципе одинаково, поэтому ограничимся рассмотрением только первого способа. [c.122] Величина времени задержки определяется следующими факторами ток управления обусловлен вблизи управляющего электрода дырками, а вблизи эмиттер-ного электрода — инжектированными электронами. Этот ток не может мгновенно оказать влияние на коллекторный ток. Возникшая вблизи эмиттерного перехода большая плотность носителей заряда будет рассасываться путем диффузии (вследствие наличия градиента) по направлению к коллекторному переходу. Изменение тока коллектора произойдет, когда носители дойдут до коллектора. Нижним пределом времени задержки при достаточно большом токе /у будет время пролета или, точнее, время дрейфа электронов через р-базу, а это составляет доли микросекунды. [c.123] Время нарастания / ар объясняется инерционностью процесса заполнения р- и я-баз носителями заряда. Время нарастания при изменении тока управления заметным образом не изменяется (см. рис. 4-22). Таким образом, /,,ар может служить параметром четырехслойной структуры, хотя величина Л1зр может существенно изменяться с изменением характера нагрузки. Типичная зависимость времени нарастания от величины прямого тока показана на рис. 4-23. При чисто омической нагрузке /пар существенно зависит от способа изготовления р-п-р- -структуры, обнаруживая однозначную зависимость от времени жизни неосновных носителей т .п в толстой слабо легированной базе. С ростом Хи.и иар убывает. [c.123] Теоретические и экспериментальные исследования показали, что наиболее существенным фактором, опре-деляющ 1м время выключения р-п-р-п-структур, является время жизни неосновных носителей заряда в толстой высокоомной базе. Снижая только величину Тн.н в толстой высокоомной базе структуры, мол но получить выкл в пределах нескольких микросекунд при прочих равных условиях. [c.127] Однако значительное уменьшение Тп.н приводит, как известно, к резкому увеличению времени включения вкл- Таким образом, времена жизни неосновных носителей заряда в базах т и Тр являются наиболее существенными параметрами, определяющими быстродействие приборов, созданных на основе р-п-р-п-структур. [c.127] Вернуться к основной статье