Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама
Стабилитроном называется полупроводниковый диод, обладающий способностью работать при процессе электрического пробоя р-и-перехода. В литературе встречаются и другие (неточные) названия этого прибора диоды Зенера, диоды опорного напряжения, диоды эталонного напряжения.

ПОИСК



Кремниевые стабилитроны

из "Кремниевые вентили "

Стабилитроном называется полупроводниковый диод, обладающий способностью работать при процессе электрического пробоя р-и-перехода. В литературе встречаются и другие (неточные) названия этого прибора диоды Зенера, диоды опорного напряжения, диоды эталонного напряжения. [c.87]
Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона типа СК15 в области прямого тока подобна прямой ветви вольт-амперной характеристики обычных кремниевых неуправляемых вентилей. В схемах используется обратная ветвь вольт-амперной характерпстики стабилитрона. [c.87]
На рис. 3-9 показана обратная ветвь вольт-амперной характеристики силового стабилитрона тина СК15. [c.87]
Рабочим элементом кремниевого стабилитрона является плоскостной кремниевый р-п-переход с так называемой жесткой обратной вольт-амперной характеристикой, у которого до определенного обратного напряжения ток через / , г-переход пренебрежимо мал, а при напряжении пробоя, являющимся напряжением стабилизации, резко возрастает ( /проб = ст). Возрастание тока обусловлено либо туннельным, либо лавинным механизмом нробоя. [c.87]
Зависимость ТКН от напряжения стабилизации. [c.89]
На рис. 3-10 показана экспериментальная зависимость ТКН от U t. Как и следовало ожидать, ТКН отрицателен при i/(iT 5 в (туннельный пробой) и положителен при t7 T 6 в (лавинный пробой). [c.89]
СК В установившемся режиме там же приведена зависимость диф=/(/обр)- Эти стабилитроны имеют довольно высокое напряжение пробоя (6 проб = = 83- 84 в), и пробой носит чисто лавинный характер. [c.91]
Используя способ создания /з-/г-переходов с защитным кольцом, можно легко изготовить полупроводниковые диоды с симметричными стабилитронными характеристиками (рис. 3-12). [c.91]
Структура симметричного стабилитрона изображена на рис. 3-13. [c.91]
Такие стабилитроны могут применяться для заиппы от перенапряжений обеих полярностей различ 1ых элементов электрических схем и, в частности, тиристоров, переключателей и симметричных тиристоров. [c.91]


Вернуться к основной статье

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте