ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Влияние толщины базовой области и свойства базового контакта из "Кремниевые вентили " При выводе формулы, характеризующей вольт-амнер-ную характеристику в гл. 1, падение напряжения на базовой области не принималось во внимание. Кроме того, считалось, что диффузионная длина Ьо мала по сравнению с толщиной базовой области й, так что носители зарядов полностью рекомбинируют, не доходя до базового контакта. Свойства базового контакта вообще не учитывались. В реальных кремниевых вентилях эти факторы будут влиять на форму вольт-амперной характеристики. Количественный учет всех этих факторов достаточно сложен, поэтому будут приведены только основные качественные соображения. [c.51] Рассмотрим так называемый чисто омический контакт, т. е. контакт металл — полупроводник, вольт-амперная характеристика которого линейна вне зависимости от полярности приложенного напряжения. Омический контакт обладает малым переходным сопротивлением. [c.51] Если у омического контакта отсутствуют инжекцион-ные свойства, то все неосновные носители зарядов, дошедшие до контакта, уходят в металл. Этот процесс является, по сути дела, процессом рекомбинации неосновных носителей заряда, причем скорость такого процесса равна бесконечности. Поэтому омический контакт называют контактом с бесконечной скоростью рекомбинации. [c.51] При инжекции носителей заряда в базовую область в слое базовой области, где концентрация носителей заряда новыщена, сопротивление уменьшится. При слой базовой области с иовыщенной концентрацией носителей заряда, т. е. с повышенной проводимостью, будет находиться вблизи р-п-перехода. Чем меньше 1и, тем этот слой тоньше. Однако общее сонротивление базовой области будет меньше, чем вычисленное по (2-6). Эффект уменьшения сопротивления базовой области при инжекции неосновных носителей заряда называется эффектом модуляции проводимости базовой области. [c.52] Если время жизни неосновных носителей заряда в базе велико, т. е. Ьв й, то почти все инжектированные носители заряда доходят до омического контакта и там рекомбинируют. Распределение инжектированных носителей заряда в базовой области будет отличаться от приведенного в гл. 1, так как концентрация неосновных носителей заряда достигает равновесного значения не на расстоянии нескольких диффузионных длин, а на расстоянии й, которое меньше Ьо- Градиент концентрации инжектированных носителей заряда будет больше, чем в первом случае. Чем больше Ьо по сравнению с с1, тем больше градиент концентрации вблизи контакта, тем меньше сопротивление базовой области по сравнению с сопротивлением, вычисленным из выражения (2-6). [c.52] В обоих случаях прямое напряжение, приложенное к вентилю, распределяется между слоем объемного заряда и базовым слоем. Падение напряжения на сильно легированном р-слое и переходных сопротивлениях контактов во внимание не принимаются вследствие их малости. [c.52] Вернуться к основной статье