ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Влияние рекомбинационно-генерационных процессов в слое объемного заряда из "Кремниевые вентили " При наличии напряжения на р- -переходе такое равновесие нарушается. При прямом напряжении на р-и-пе-реходе ток рекомбинации преобладает над током генерации. Это объясняется тем, что уменьшается потенциальный барьер на р-л-переходе и носители заряда, ранее не способные преодолеть барьер, проникают в переход, вероятность рекомбинации увеличивается и увеличивается рекомбинационный ток. Физически это означает, что при прямых токах в области объемного заряда появляются свободные носители заряда и заполнение центров захвата этими свободными носителями увеличивается. Уменьшение числа свободных центров захвата приводит к уменьшению числа переходов электронов из валентных связей в центры захвата и увеличивает число электронов, переходящих с центров захвата в валентные связи. Последнее объясняется тем, что переход их в свободное состояние затруднен из-за наличия в области объемного заряда достаточного количества свободных электронов. В данном случае процессы генерации практически прекращаются, а преобладают рекомбинационные процессы. Кроме того, генерационный ток уменьшается также и за счет уменьшения ширины слоя объемного заряда при прямом напряжении. [c.48] Анализ выражения (2-5) показывает, что с ростом прямого напряжения второй член этого выражения начинает расти быстрее первого, и при достаточно большом значении прямого напряжения основную роль в величине прямого тока начинает играть диффузионный ток /в. [c.50] Вернуться к основной статье