ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Идеальный электронно-дырочный переход в кремнии из "Кремниевые вентили " В любом полупроводнике имеет место наличие всех трех типов проводимости собственной, электронной и дырочной. Собственная проводимость обусловлена носителями заряда обоих знаков, количества которых равны. Как указывалось в 1-1, из-за большей величины подвижности электронов собственная проводимость будет иметь электронный характер. [c.33] В примесном полуироводнике всегда имеются примеси двух видов доноры и акцепторы, так как полностью очистить полупроводник от примесей одного из типов, оставив другой, практически невозможно. Поэтому проводимость примесного полупроводника определяется преобладающей примесью. [c.33] При росте температуры в примесном полупроводнике концентрация свободных электронов, вырванных из ковалентных связей, возрастает, а плотность примесных электронов остается постоянной, так как примесные атомы уже полностью ионизированы при комнатной температуре. Поэтому с повышением температуры роль собственной проводимости начинает возрастать и, начиная с некоторой температуры, станет преобладающей. Очевидно, что температура перехода от примесной проводимости к собственной будет зависеть от плотности примесных атомов и от ширины запрещенной зоны. [c.34] При понижении температуры концентрация собственных носителей заряда экспоненциально убывает, а концентрация примесных носителей заряда остается постоянной до тех пор, пока примеси полностью ионизированы. При некоторой, достаточно низкой температуре, когда средняя тепловая энергия становится существенно меньше энергии ионизации примесных атомов, примесные атомы становятся только частично ионизированными и концентрация примесных носителей заряда начинает экспоненцнальио зависеть от температуры. И в собственном полупроводнике при некоторой, достаточно низкой температуре, когда концентрация собственных электронов станет меньше концентрации примесных носителей заряда, проводимость приобретает примесный характер. [c.34] Так как максимальная скорость изменения потенциала находится в плоскости х=0, то в этой же плоскости максимальна и напряженность электрического поля. [c.35] В областях электрической нейтральности, где р = 0, напряженность электрического поля также равна нулю. [c.35] На рис. 1-8 показаны изменения потенциала и напряженности электрического поля для рассматриваемого резкого р-п-перехода. [c.35] В этом случае весь запирающий слой находится в электронной области, а толщина его в дырочной области ничтожна. Чем больще сопротивление электронной области (т. е. чем мепьще Л д), тем больше ширина запирающего слоя в этой области. [c.36] Вернуться к основной статье