ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Схемы ограничения выходного напряжения по знаку из "Практика аналового моделирования динамических систем Справочное пособие " Здесь 1 — характеристика для схемы с кристаллическим плоскостным диодом 2 — идеальная характеристика 3—характеристика с вакуумным диодом. [c.154] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.1. [c.155] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.4. [c.156] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.13. [c.156] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.23. [c.156] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.3. [c.157] ДРЭ выполнен по схеме 2.1.33. [c.158] Параметры характеристик схем 2.9.2—2.9.13 могут изменяться при различных соотношениях сопротивлений резисторов ДРЭ. В приведенных схемах все значения сопротивлений резисторов приняты равными. На параметры характеристик влияют также значения опорных напряжений Е. [c.158] Соединение двух таких схем может дать управляемую зону нечувствительности, где Л=/(0- При Л=0 образуется модель идеального диода. [c.158] При малейшем отрицательном диод УОг проводит и охватывает разомкнутый усилитель глубокой отрицательной обратной связью, так что л з = 0. При положительном Х2 отпирается диод КОь так что хз=х1. [c.160] Вернуться к основной статье