ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Физические процессы при распространении коротких радиоволн из "Распространение радиоволн Издание 4 " При тех значениях и V, которые характеризуют состояние ионизированных слоев Е и р2 ионосферы, и в интересующем нас диапазоне коротких волн плотность токов смещения значительно больше токов проводимости. Это условие можно записать в виде неравенства бОА а ви, пользуясь которым можно упростить выражение (5.8). [c.269] Полученное выражение представляет исключительный интерес с двух точек зрения. Во-первых, из ф-лы (5.10) следует, что, в отличие от хорошо известной для полупроводящих сред зависимости коэффициента поглощения от частоты, коэффициент поглощения в ионосфере не увеличивается, а уменьшается с частотой, будучи обратно пропорционален квадрату частоты. Во-вторых, для заданной частоты степень поглощения определяется произведением электронной концентрации на число столкновений. [c.270] В реальных условиях распространения короткие волны испытывают поглощение не только в области максимума электронной концентрации слоя Е, яо и в более низких частях ионосферы, а именно, в основании области и в области /). На этих высотах число столкновений соизмеримо с круговой частотой, поэтому в ф-лах (4.32) и (5.10) уже нельзя пренебречь величиной V по сравнению с 0). В этих условиях коэффициент поглощения уже не будет меняться обратно пропорционально квадрату частоты. Зависимость коэффициента поглощения от частоты в значительной степени сгладится, хотя по-прежнему с увеличением частоты коэффициент поглощения будет уменьшаться. [c.270] Первое из этих условий говорит о том, что на данной линии радиосвязи в заданное время года и суток могут применяться радиоволны, частота которых не превышает некоторого максимального (критического) значения и, таким образом, ограничивает диапазон используемых частот сверху. Второе из этих условий ограни-чивает диапазон применяемых частот снизу, потому что, как было показано выше, чем меньше используемая частота, тем больше поглощение в пути. Отметим в качестве интересной особенности, что если первое из этих условий является, безусловно, критическим, так как при невыполнении его радиоволны вообще не будут отражаться от слоя и независимо от применяемой мощности радиопередающего устройства не попадут в место приема, то второе условие не является столь критическим, и переход к более низким частотам может до некоторой степени компенсироваться увеличением мощности передатчика. Применяя сверхмощные передающие устройства, можно установить радиосвязь на сравнительно низких частотах в диапазоне коротких волн. [c.271] Рисунок 5.16 характеризует условия распространения дневных волн в дневные часы и ночных волн в ночные часы. [c.271] Короткие радиоволны, обладая рядом существеннейших преимуществ по сравнению с длинными и средними волнами, основным из которых следует считать незначительное поглощение прн распространении в ионосфере, несвободны от некоторых недостатков. Главный из них состоит в том, что отражаясь от слоя который, как известно, далеко не отличается постоянством структуры, свойственной области Е, короткие волны не обладают постоянством условий распространения, которое присуще средним, длинным и сверхдлинным волнам. [c.273] Процессы распространения коротких волн характеризуются и некоторыми другими особенностями, к которым относятся явление эхо, явление диффузного отражения, наличие зон молчания и т. п. [c.273] Переходим к рассмотрению главнейших особенностей распространения коротких волн. [c.273] Вернуться к основной статье