ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Зависимость величины паразитных элементов вентиля от его состояния из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " Кроме зависимости входного порога срабатывания вентиля от его состояния, ряд характеристик, связанных с входами этого вентиля (таких как величина паразитных ёмкостей) также могут зависеть от логических уровней, находящихся на других входах. Например, рассмотрим 2-входовый вентиль ИЛИ (Рис. Б. 19). [c.357] Ёмкость паразитного конденсатора на входе g2м (который подключен к выходу другого логического элемента /.д ) может зависеть от логического значения на входе g2.b. Если на входе g2.b присутствует логический О, то изменение сигнала на входе g2.a вызовет изменение значения на выходе вентиля ИЛИ. В этом случае выход gl.у (вход g2м) столкнется с относительно большой паразитной ёмкости. Однако если на вход g2.b подать логическую 1, то изменение сигнала на входе g2м не вызовет переключения сигнала на выходе вентиля ИЛИ. При этом gLy столкнется с относительно небольшой ёмкостью. [c.357] В этом случае можно спросить Если логический элемент ИЛИ не изменяет своё выходное значение, зачем нам беспокоиться о том, что паразитный конденсатор на входе а изменяет значение своей ёмкости Разве мы не можем рассматривать только значение, проявляющееся при переключении выхода На самом деле всё было бы хорошо, если бы gl.y был подключен только к входу но проблема в том, что мы можем модифицировать схему, и в итоге gl.y окажется подключен к входам других вентилей. [c.358] Этот эффект сначала проявлялся в устройствах эмиттерно-связан-ной логики (ЭСЛ). Ещё в конце 1980-х существовала одна ЭСЛ-техно-логия, в которой паразитные конденсаторы на входах вентилей-при-емников (с точки зрения выходов вентилей-передатчиков) изменяли свою ёмкость почти на 100 процентов в зависимости от состояния логических сигналов на других входах. Но это явление больше не ограничивается в своём проявлении только технологией ЭСЛ. Снова повторюсь, эффекты, вызывающие изменение значения задержки, начинают проявлять себя в новом качестве и выходят за пределы традиционных значений, когда мы продолжаем погружаться в область глубокого субмикрона. [c.358] Вернуться к основной статье