ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Развитие спецификаций задержки из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " Давным-давно, в былые времена, где-то после Юрского периода, когда Землю населяли динозавры — скажем, в конце 1970-х или начале 1980-х годов — жизнь инженеров, разрабатывающих системы на основе заказных специализировнных микросхем, была куда проще, чем у наших современников. Спецификация задержек для ранних (мульти-микронных) технологий была элементарной во всех отношениях. Давайте рассмотрим простой 2-входовый вентиль И, для которого задержка прохождения данных от входа до выхода изначально была одинаковой для фронтов и спадов поступающих на вход импульсов (Рис. Б.1,а). [c.345] Однако уменьшение геометрических размеров устройств сопровождалось увеличением сложности спецификаций задержек. На следующем этапе задержки стали различаться для фронтов (возрастание сигнала) и спадов (спад сигнала) поступающих импульсов (Рис. Б.1, б), а затем появилось отличие в задержках для разных входов элементов (Рис Б.1, в). [c.346] В прежние времена задержки обычно описывались в виде записи нс + нс/пФ. В этом представлении первая часть ( нс) отображает фиксированную задержку в наносекундах для всего логического элемента. К ней добавляется некоторая дополнительная задержка, измеряемая в наносекундах на пикофарад ёмкости нагрузки ( нс/пФ). Разумеется, эта форма записи просто не может описывать явления задержки в субмикронных технологиях, хотя бы вследствие того, что в этой области, как будет показано ниже, задержка определяется КЬС-параметрами. [c.346] Вернуться к основной статье