ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Приложение Б. Эффекты задержки в технологии глубокого субмикрона из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " При проектировании систем, основанных на использовании заказных микросхем (ASI ) или специализированных стандартных блоков (ASSP), расчет необходимых временных параметров и эффектов представляет собой довольно сложную задачу. С появлением каждого нового уровня технологического процесса анализ временных эффектов становится всё более устрашающим. С некоторого момента, значение которого точно не определено (или разными людьми определяется по-разному), но находится на уровне примерно 0.5-микронного (500 нанометров) технологического процесса, мы погружаемся в область, которой свойственны так называемые эффекты задержки глубокого субмикрона. [c.345] Конечно же, что касается ПЛИС, то их разработчики решают множество проблем, связанных с проявлением этих задержек, тем самым, скрывая их от конечного пользователя (то есть от проектировщика устройств на основе ПЛИС). Основываясь на этом, можно сказать, что у нас нет необходимости обсуждать эти явления в контексте ПЛИС. С другой стороны, разговоры об этих задержках ведутся постоянно, но я ни разу не встречал их полного и понятного любому человеку описания. Именно поэтому нижеследующее описание представлено здесь для вашего удовольствия и наслаждения. [c.345] Вернуться к основной статье