ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Выбросы, вызванные перекрестными наводками из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " При изменении логических уровней сигналов, протекающих в расположенных рядом проводниках, ёмкостная связь между дорожками внутри микросхем приводит к тому, что часть зарядов перетекает из одного проводника в другой. В зависимости от скорости изменения уровней сигналов (крутизны фронтов и спадов) и величины паразитной взаимной ёмкости (С ), на соседних проводниках могут возникать значительные выбросы, вызванные перекрёстными наводками (Рис. А.6). [c.338] Из данного примера мы видим, что изменение уровня сигнала в быстродействующей цепи проводника- агрессора провоцирует выброс напряжения на входе приёмника, подключенного к проводнику- жертве . Конечно, этот рисунок даёт нам лишь упрощенное представление всех протекающих процессов. В действительности каждая дорожка может состоять из множества сегментов, расположенных на разных слоях металлизации. Таким образом, сопротивления (Rwl и Rw2) и ёмкости ( wl и Су г) каждого проводника будут состоять из множества элементов, связанных с различными сегментами. Паразитная взаимная ёмкость (С ) может также состоять из нескольких элементов. [c.338] Пример выброса, показанный на Рис. А.6, представляет собой только одну из четырёх возможных форм искажений, проявление которых основанно на том факте, что фронт или спад импульса в провод-нике- агрессоре может происходить при разных логических значениях проводника- жертвы (Рис. А.7). [c.338] Если возникающие в проводнике- жертве выбросы или провалы пересекают входной порог срабатывания приёмного устройства, то это может привести к функциональной ошибке. В некоторых случаях эта ошибка проявляется в виде неправильных значений, которые впоследствии загружаются в регистр или защёлку. Иногда ошибка заставляет защёлку выполнить непредусмотренную загрузку, установку или сброс. Высокоуровневые выбросы и низкоуровневые провалы на проводнике- жертве также могут вызывать нежелательный перенос носителей заряда в транзисторах, формирующих логические элементы, вследствие чего работоспособность схемы может быть нарушена. Хотя эти явления (их ещё называют эффектами горячих электронов) не являются главной угрозой в контексте рассматриваемой нами технологии реализации цифровых микросхем с увеличением размеров устройств, реализованных с помощью глубокого и сверхглубокого субмикрона, проблемы, связанные с данными явлениями выйдут на первое место. [c.339] Вернуться к основной статье