ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Диффузия в твердых телах из "Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА " Так как при обычных температурах kT 11ш + то и о-По мере повышения температуры v быстро растет, и при высоких температурах разница между v н Vo может значительно уменьшиться. [c.25] Диффузионное уравнение. С макроскопической точки зрения процесс диффузии описывается двумя законами Фика. [c.26] Коэффициент пропорциональности D называется коэффициентом диффузии и измеряется в mV в общем случае он может зависеть от концентрации примеси. Знак — указывает на то, что диффузионный поток направлен в сторону убывания концентрации. [c.26] На рис. 1.19, б показаны кривые распределения примеси в кристалле для различных моментов времени. [c.27] Поверхностная диффузия. Большую роль во многих технологических процессах производства РЭА (получение тонких плепок, панка и др.) имеет поверхностная диффузия миграция) атомов. [c.28] Установить точно, насколько энергия связи поверхностных атомов ниже энергии связи в решетке, трудно, так как поверхность кристалла никогда не бывает идеально гладкой, как мы предполагали. В действительности на ней всегда имеются всевозможные выступы, ямки, островки и другие неоднородности структуры (рис. 1.21) и в зависимости оттого, какое положение занимает адсорбированный атом на этой поверхности, число соседей, которые будут его окружать, окажется различным. Поэтому будет различной и энергия связи его с поверхностью, а следовательно, и энергия активации поверхностной диффузии Но в среднем эта энергия, как правило, много ниже энергии активации объемной диффузии, вследствие чего коэффициент поверхностной диф-(Ьузии обычно много выше коэффициента объемной диффузии. [c.29] Вернуться к основной статье