ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Движение и равновесие дислокаций из "Сопротивление материалов " Для этого нужно ввести внутрь кристалла дополнительно некоторое количество вещества. Чтобы переместить дислокацию вверх на расстояние б, нужно из дополнительного разреза удалить один атомный слой. Таким образом, вертикальные движения дислокаций невозможны без сохранения сплошности материала. [c.145] Иа самом деле в кристаллической решетке всегда существуют точечные дефекты, а именно внедренные атомы и вакансии, то есть пустые места в решетке. Внедренные атомы и вакансии мигрируют внутри решетки вследствие теплового движения атомов движения внедренных атомов и вакансий иосят диффузионный характер и подчиняются законам диффузии. Поэтому вертикальные движения краевых дислокаций возможны, особенно при высоких температурах. Эти движения являются следствием диффузионных движений точечных дефектов и происходят медленно. [c.145] Горизонтальное движение дислокаций, наоборот, не связано с нарушением сплошности и поэтому всегда кинематически возможно. Плоскость возможного движения дислокации называется ее плоскостью скольжения в символе, обозначающем краевую дислокацию, горизонтальная черточка напоминает о плоскости скольжения и, следовательно, о направлении возможного движения. [c.145] Дислокации могут двигаться также под действием внешних сил, вызывающих в теле напряженное состояние, что и является причиной пластической деформации. Представим себе, что к блоку, содержащему дислокацию, приложены касательные напряжения, как показано па рис. 93. [c.146] Вернуться к основной статье