ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Расходимость луча из "Лазеры на гетероструктурах ТОм 1 " Детальное знание картины излучения в дальней зоне полупроводниковых лазеров весьма важно для их правильного применения. Например, от картины дальней зоны гетеролазера зависит способ ввода излучения в оптическое волокно, а также получаемая эффективность ввода [52]. Кроме того, распределение излучения в дальней зоне лазера характеризует распределение поля внутри волновода. Как будет показано в этом параграфе, картина излучения в дальней зоие представляет собой по существу интеграл Фурье от поля, распространяющегося в волноводе. Поэтому сравнение экспериментальной картины дальней зоны с расчетной, основанной иа вычислении распределения поля в волноводе, показывает, насколько хорошо выражения для у и численные значения показателей преломления, приведенные выше, описывают действительную картину распространения излучения в волноводе. [c.89] Из этого выражения видно, что ик представляет собой д -ком-поненту волнового вектора, изображенного иа рис. 2.7.2. [c.90] Б которых формируется волновод также и по оси у. Расходимость луча в плоскости, перпендикулярной плоскости р — /1-перехода, зависит как от разности показателен преломления на границах раздела между слоями, так и от толщины активного слоя. [c.95] Для симметричного GaAs—Alo.3Gao.7As ДГС-лазера при d = = 0,1 мкм и Яо = 0,90 мкм приближенная формула (2,7,39) дает 0х = 36,7°, в то время как из точного выражения (2.7.30) получается значение 0 , равное 39,5°. Согласие между приближенным и точным выражениями улучшается при уменьшении 01. Думке [43] вывел также формулу, определяющую 0 при больших значениях d, однако она применима лишь при таких больших d, При которых в волноводе возбуждаются моды высшего порядка, а не основная мода. [c.98] Вернуться к основной статье