Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама
Эмиттеры транзисторов имеют разные потенциалы, поэтому для отпирания каждого транзистора требуется определенное базовое напряжение. Так, для отпирания транзистора Тг требуется напряжение и2=иб.э + ик.эу а для транзистора Г1 — [/1==1/б.э+21[/к.э, где к.э — напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения.

ПОИСК



Цифровые логические интегральные схемы

из "Цифровые авометры "

Эмиттеры транзисторов имеют разные потенциалы, поэтому для отпирания каждого транзистора требуется определенное базовое напряжение. Так, для отпирания транзистора Тг требуется напряжение и2=иб.э + ик.эу а для транзистора Г1 — [/1==1/б.э+21[/к.э, где к.э — напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения. [c.9]
При объединении нескольких входов из-за разброса параметров базовые токи распределяются неравномерно. Поэтому может случиться, что один из транзисторов будет отперт, а на остальные транзисторы для их полного насыщения тока недостаточно. Для выравнивания токов в базовых цепях транзисторов включают последовательно добавочные резисторы, что приводит к спрямлению п сближению входных характеристик. [c.9]
Диодно-транзисторные элементы ДТЛ т росты, экономичны, обладают достаточным быстродействием. Типичная диодно-транзистор- ая логическая схема показана на ряс. 6. [c.9]
Примером удачной реализации возможностей монолитной интегральной техники могут служить схемы ТТЛ. В отличие от ДТЛ-элементов входные диоды здесь заменены входным многоэмиттерным транзистором (рис. 7). В этом случае вместо пассивных элементов используются активные, благодаря чему быстрее удаляются неосновные носители, накопленные з базе выходного транзистора Г2. [c.10]
Рассмотрим теперь логические схемы на МОП-транзисторах. Полевой транзистор со структурой металл — окисел — полупроводник (МОП) представляет собой прибор, управляемый напряжением. [c.11]
Схема элемента НЕ-ИЛИ показана на рис. 8,а. Транзисторы ТI, Гг, Тз Используются, как выходные вентили. Вместо нагрузочного резистора включен транзистор Ti. Такая замена, помимо снижения рассеиваемой мощности, позволяет значительно сократить площадь подложки. [c.11]
Работу схемы поясняет табл. 2. [c.11]
На рис. 8,6 показана схема элемента НЕ-И. [c.11]
Ток через нагрузочный резистор потечет только в том случае, когда на всех трех входах схемы будут 1. Этот ток вызывает падение выходного напряжения до нуля. Работу схемы поясняет табл. 3. [c.11]


Вернуться к основной статье

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте