ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Внутренние средства ослабления электромагнитных помех из "Электропитающие устройства электроакустической и кинотехнической аппаратуры " Основные помехообразующие элементы представлены генераторами напряжений, создающими симметричные и несимметричные помехи иут (силовой транзистор) и иуо (выпрямительный диод). Конденсатор входного фильтра С — за счет паразитных активного и индуктивного сопротивлений при протекании через него переменной составляющей тока силовой цепи также становится генератором симметричного напряжения помех. [c.330] Ток несимметричной помехи проходит через паразитные емкости между силовым транзистором и теплоотводом, установленном на шасси ИВЭП между теплоотводом (изолированном от шасси), проводами, другими узлами, на которых выделяются импульсные напряжения и шасси (Спь Сп2, Сп4, Спъ), межобмоточную емкость трансформатора Спз, емкость между другими элементами. [c.330] В связи с тем, что точные значения паразитных емкостей определить не представляется возможным, применение эффективных мер по ослаблению несимметричных помех затруднительно. Обобщенная модель распространения несимметричной помехи показана на рис. 10.4, б. [c.330] Такие способы предполагают уменьшение уровня помех, создаваемых ИВЭП с БТВ, посредством влияния на электромагнитные процессы в источнике. На рис. 10.5, а представлены относительные логарифмические амплитудно-частотные зависимости огибающих максимальных амплитуд гармонических составляющих спектров последовательностей прямоугольных и трапецеидальных импульсов, которыми могут быть описаны напряжения генераторов электромагнитных помех. Внутренние меры ослабления помех направлены, в основном, на ослабление напряжений этих генераторов. [c.331] Форму спектра периодической последовательности импульса удобно характеризовать логарифмическим амплитудным спектром (ЛАС) одиночного импульса. [c.331] Анализ ЛАС позволяет сделать вывод, что увеличение длительности фронтов Тф трапецеидальных импульсов или длительности т прямоугольных импульсов приЕодит к смещению соответствующих точек изломов ЛАС этих последовательностей в сторону низких частот, что сужает ширину спектра помех и уменьшает их уровень. Вместе с тем увеличение Тф приводит к возрастанию потерь на переключение транзистора (см. гл. 5),что приводит к снижению к. п. д. ИВЭП. Поэтому такой метод снижения ЭМП следует применять с учетом энергетических показателей. [c.332] Меньшим уровнем и более узким спектром помех характеризуются сигналы с экспоненциальным фронтом, импульсы вида соз .) , с формой, близкой к синусоидальной (например, как у резонансных инверторов, см. п. 5.6). Их использование при работе силовых каскадов так же является средством снижения ЭМП. [c.332] Параметры спектра ЭМП зависят от типа силовых каскадов. Например, перепад напряжения на силовых элементах первичной цепи в однотактном и двухтактном с отводом от средней точки первичной обмотки трансформатора инверторах в два раза больше, чем в мостовом и полу-мостовом (см. гл. 5), поэтому и помехи, создаваемые по этой причине, будут больше. [c.332] В однотактном прямом преобразователе форма тока в коллекторной цепи прямоугольная (ЛАС после излома имеет наклон 20 дБ/декаду), в обратном — треугольная (ЛАС — имеет наклон 40 дБ/декаду), поэтому уровень помех, обусловленный формой импульса, в обратном преобразователе несколько меньше, чем в прямом. [c.332] Уровень импульсов напряжения и тока снижается при использовании ИВЭП ИТ с неполной глубиной модуляции, представляющих собой основной нестабилизированный источник и небольшой стабилизированный в качестве вольтодобавочного или вольтовычитающего устройства. [c.332] Электромагнитные помехи создаются также при протекании сквозных токов, импульсных токов в нагрузочной цепи, колебательных процессах, возникающих в паразитных контурах при переходных режимах. Поэтому описанные в п. 5.6 цепочки, предназначенные для предотвращения сквозных токов, демпфирующие С, R , УО-/ С-цепочки размагничивающие обмотки в трансформаторах однотактных преобразователей и дросселях некоторые цепочки, формирующие траекторию рабочей точки силовых транзисторов, также относятся к электрическим средствам ослабления ЭМП. [c.332] Важное значение для уменьшения уровня помех имеет рациональный выбор элементной базы. Так, конденсаторы должны иметь минимальные паразитные параметры активного и индуктивного сопротивлений, моточные изделия — минимальные индуктивность рассеяния и паразитную емкость, транзисторы и тиристоры — соответствующие частотные свойства (см. пп. 5.2, 10.5), выпрямительные диоды должны быть высокочастотными и обладать плавным восстановлением запирающих свойств (см. гл. 2), или шунтироваться конденсаторами небольшой емкости. [c.333] Конструктивные способы и средства снижения ЭМП устраняют или ослабляют паразитные емкостные и индуктивные связи между ИВЭП и сетью, создают шунтирующие цепи для тока помехи, снижают уровень помех излучения. [c.333] Это обеспечивается рациональным размещением узлов друг относительно друга, корпуса ИВЭП и применением специальных экранирующих элементов. [c.333] Установка электростатических экранов между обмотками трансформаторов силовой и управляющей цепей при соединении их с входной и выходной цепями трансформатора позволяет создать шунтирующую цепь для тока помехи внутри узлов ИВЭП, уменьшив ее составляющую, проходящую по корпусу (шасси) и земле. [c.333] В качестве экрана применяется незамкнутый виток медной фольги. Размещение экранов показано на рис. 10.6, а, электрическая схема соединения на рис. 10.6, б. Экран размещен между первичной и вторичной обмоткой, при соединении с проводом питания первичной обмотки замыкает ток помехи в этом контуре, преграждая путь во вторичную цепь. При высоковольтной вторичной обмотке применяется второй экран между первичной и вторичной обмотками, который при соединении с цепью вторичной обмотки препятствует распространению помех из вторичной в первичную цепь. [c.333] Один из главных путей распространения несимметричного тока помехи создается через паразитную емкость между коллектором силового транзистора и радиатором (теплоотводом) Ск-р. Этот путь устраняется при соединении радиатора с коллекторной или эмиттерной цепями транзистора. Однако, если радиатор заземлен, то для уменьшения этой емкости, которая при применении слюдяной прокладки составляет примерно 100 пФ и создания замкнутого внутреннего контура тока помехи применяется слоистая экранирующая шайба (рис. 10.7, а). Путь шунтирования тока помехи показан на рис. 10.7, б. [c.333] С целью ослабления паразитных емкостных и индуктивных связей поузловой монтаж ИВЭП должен быть компактным, по возможности выполняться б линию- , т. е. последовательно узел за узлом, конденсаторы должны располагаться так, чтобы монтажные провода имели минимальную длину. Сигнальные и силовые проводники должны быть разнесены и выполняться экранированным проводом. [c.333] Применение экранирующей слоистой шайбы а — размещение шайбы б — схема, иллюстрирующая действие шайбы / — радиатор 2.4 — непроводящие пластины (слюда) 3 — проводящая пластина 5 — транзистор. [c.334] Вернуться к основной статье