ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Туннельные диоды (диоды Исаки) из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " В работах [12, 28] изучалось поведение германиевых и кремниевых диодов Исаки под действием облучения быстрыми нейтронами. При низком прямом напряжении в характеристиках диодов Исаки обнаружен пик тока, обусловленный туннельными переходами электронов из зоны проводимости в валентную зону. Так как этот эффект не зависит от времени жизни носителей, то влияние излучения может привести только к уменьшению плотности ионизированных доноров и акцепторов. Подсчитано, что для существенного изменения вольт-амперных характеристик устройств с высокой начальной концентрацией доноров и акцепторов на основе такого механизма требуется интегральный поток быстрых нейтронов порядка 101 нейтрон 1см . [c.301] Экспериментальные данные, приведенные в работах [12, 28], показывают, что пик тока нечувствителен к радиационным повреждениям, тогда как минимум тока при облучении значительно возрастает. Из рис. 6.4 я 6.5 видно, что существенное увеличение тока в минимуме характеристики наблюдается в интервале потоков lOi —нейтрон1см для германиевых диодов и IQi —IQi нейтрон1см — для кремниевых. [c.301] Впоследствии аналогичные результаты были получены и тщательно изучены при облучении кремниевых и германиевых диодов электронами с энергиями соответственно 0,8 Мэе [21, 54] и 7 Мэе [55]. Эти данные хорошо объясняются механизмом появления провала тока, предложенным Яджима и Исаки [87], согласно которому туннельные эффекты обусловлены примесями или, как в данном случае, энергетическими уровнями дефектов, находящимися внутри запрещенной зоны. Поведение вольт-амперных характеристик германиевых и кремниевых диодов Исаки (см. рис. 6.4 и 6.5) качественно согласуется с вышеуказанным механизмом для провала тока. Было замечено, что кремниевый диод более чувствителен к нейтронному облучению, чем германиевый. [c.301] Диоды Исаки из германия, кремния и арсенида галлия облучали быстрыми нейтронами [67]. Тепловые нейтроны были существенно ослаблены кадмиевым экраном толщиной 1,016 мм. Сравнение измерений, проведенных вне и внутри реактора, показало, что влияние облучения на диоды незначительно. Вольт-амперные характеристики измерялись при 40° С после различных доз облучения. На рис. 6.6—6.8 представлены семейства вольт-ам-перных характеристик диодов Исаки из арсенида галлия (GaAs), германия и кремния соответственно при различных интегральных потоках нейтронов. [c.302] Вернуться к основной статье