ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Неравновесные ионизационные эффекты из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Электроны, появившиеся в металлах в результате ионизации, временно переходят из низкоэнергетических состояний в состояния с более высокой энергией в зоне проводимости. Так как избыток энергии может быстро распределиться среди большого числа электронов проводимости, то время релаксации в металле по сравнению с нолупроводпиками чрезвычайно мало. Поэтому трудно ожидать, что удельная электропроводность и другие электрические свойства металлов смогут существенно-изменяться при достижимых в настоящее время интенсивностях ионизации. [c.284] В полупроводниках возбужденные электроны могут переходить из заполненных состояний валентной зоны в первоначально пустые состояния зоны проводимости с образованием дырок. Этот процесс, рассматриваемый как образование пар электрон — дырка, создает неравновесные состояния, исчезающие при рекомбинации избыточных дырок и электронов. [c.284] Большинство избыточных нар электрон — дырка рекомбинирует на дефектах кристаллической решетки. Эти дефекты, как указывалось выше, являются центрами рекомбинации и связаны с различными энергетическими уровнями внутри запрещенной зоны. Время, необходимое для того, чтобы избыток носителей пришел в равновесное состояние посредством рекомбинации, является временем жизни неравновесных носителей, которое зависит прежде всего от сечения рекомбинации и плотности центров рекомбинации. [c.284] Избыток электронов и дырок, временно образовавшихся в полупроводниках под действием излучения, увеличивает объемную удельную электропроводность материала. Однако наиболее резко чувствительность к облучению выражена в полупроводниковых переходах. [c.284] Вернуться к основной статье