ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Физические свойства полупроводников из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Точечные дефекты, возникаюш ие в кристалле под действием излучения, образуют локальные напряженные области, которые вызывают увеличение параметров решетки (среднее расстояние между соответствую ш ими узлами решетки) и снижение плотности. [c.282] Увеличение прочности облученных материалов часто связывают с закреплением дислокаций (т. к. точечные дефекты затрудняют движение дислокаций). Этим же механизмом можно объяснить увеличение упругих постоянных. Наблюдаюш ееся иногда уменьшение упругих постоянных связывают с наличием вакансий. [c.282] Скорости диффузии при облучении возрастают, так как диффузия в твердых телах органически связана с образованием дефектов, т. е. вакансий и (или) междоузлий. [c.282] Облучение часто вызывает фазовые превращения. Так как тепловые волны, или фононы, рассеиваются дефектами, то в результате радиационных повреждений уменьшается теплопроводность материала. Этот эффект особенно заметен при низких температурах ( 50° К), когда решеточная теплопроводность обычно высока. [c.282] Аналогичные изменения претерпевает удельная электропроводность материала. В этом случае носители тока (электроны или дырки) отклоняются в результате отталкивания или притяжения со стороны ионизованных дефектов. [c.282] Вернуться к основной статье