ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Действие излучений различного типа из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Мы видели, что число смещений, вызванных первичными атомами отдачи в случае бомбардировки нейтронами, очень велико. Это обусловлено столкновениями типа твердых шаров, характерного для нейтронов. Таким образом, несмотря на то что вероятность столкновения нейтрона с ядром атома очень мала, в результате таких столкновений атому мишени передается относительно большая часть максимально возможной передачи энергии. При облучении заряженными частицами вероятность смещающих столкновений больше, но в этом случае атому мишени передается в среднем небольшая часть максимально возможной передачи энергии. Исходя из этого, можно полагать, что при нейтронной бомбардировке дефекты должны группироваться главным образом в небольших областях вблизи мест локализации первичных процессов, тогда как в случае других видов облучения пары вакансия — междоузлие должны распределяться более равномерно. Это особенно верно для у-излучения. [c.280] Предполагалось, что фактически получаемая из опыта при облучении полупроводников нейтронами аномально малая скорость образования смещений может быть объяснена этим геометрическим эффектом. Имеется довольно много данных, подтверждающих гипотезу о том, что в случае нейтронной бомбардировки образующиеся дефекты концентрируются в небольших областях диаметром порядка нескольких сот ангстрем. [c.281] Вернуться к основной статье