ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Карбиды из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Карбид кремния облучали в течение 6 ч а-частицами с энергией 37 Мэе на воздухе при 1000° С. Результаты показали, что окисление было больше у облученных образцов, чем у необлученпых, при одинаковых условиях [9]. В табл. 4.11 приведены результаты отжига радиационных изменений плотности [169]. [c.205] Было также определено, что расширение решетки на 3,7% явилось результатом облучения потоком быстрых нейтронов 2-102 нейтрон I mP [170]. Скрытая энергия, освобожденная облученным Si , измерена Примаком [170] (рис. 4.54). [c.205] Карбид бора. Основными интересующими нас свойствами карбида бора являются его твердость и природа жаропрочности. В ядерном аспекте важно высокое поперечное сечение В для тепловых нейтронов. Поглощая нейтроны, атомы бора испускают а-частицы (атомы гелия). Газообразный гелий вызывает заметное распухание и в конечном счете — разрушение образца. [c.205] Согласно данным о влиянии облучения на параметры решетки B4G [209], облучение потоком тепловых нейтронов З-Ю нейтрон/смР (примерно соответствующее выгоранию около 15% атомов B ) вызвало сжатие по оси с на 1,38% и расширение по оси а на 0,89%. Этот эффект исчезает при отжиге в интервале температур 700—900° С. [c.206] В работе Клейтона с соавторами [47] показано, что смесь В4С и Si обладает лучшей радиационной стабильностью, чем В4С. Количество гелия, освобождающегося из В4С (0,05%-ное выгорание В ), составляет 0,9—2,2%, тогда как смесь В4С и Si (0,05%-ное выгорание B ) освобождает 0,3% гелия. При отжиге в течение 20 ч при 1000° С образцов В4С после облучения освобождалось от 10,4 до 40,4% гелия, тогда как из смеси В4С и Si выделялось только 1,5—3,2% при подобном опыте. [c.206] Вернуться к основной статье