ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Явления при отжиге из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Модели, предложенные для объяснения явления термического отжига, сложны и не совсем удовлетворительны. [c.198] Для графита, облученного при комнатной температуре, отжиг начинается ниже 400°С и сопровождается диффузией внедренных атомов к вакансиям и их аннигиляцией [117]. При температуре от 400 до 1000°С восстановление сопровождается образованием и разрушением групп внедренных атомов, а выше 1000°С нарушения восстанавливаются путем миграции вакансий. Дополнительные исследования показали, что только небольшая часть смеш енных атомов мигрировала к поверхности во время отжига при температурах до 400°С и что 80% смещенных атомов рекомбинировало с вакансиями [1541. [c.198] С применением этих режимов отжига получены результаты, приведенные на рис. 4.42—4.46, которые иллюстрируют влияние термических выдержек на восстановление радиационных изменений некоторых свойств графита. [c.199] Явление радиационного отжига влияет в некоторой степени на все свойства графита, кроме электросопротивления, восстановление которого происходит при обычных термических выдержках [159]. i Как было отмечено выше, в большинстве случаев изменения физических и механических свойств уменьшались при увеличении температуры облучения. Эти изменения обусловлены явлением радиационного отжига. [c.200] Вернуться к основной статье