ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Галоидопроизводные органические соединения из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Приведенные данные свидетельствуют о большей устойчивости ароматических галоидопроизводных по сравнению с алифатическими и снижении радиационной стойкости галоидозамещенных в ряду С1 — Вг — J. [c.28] Зимин и 3, G. Егорова [254] нашли, что выход I2 нри облучении четыреххлористого углерода а-частицами в 2,5 раза меньше найденного при облучении у-квантами. Так как галогены имеют высокое сечение захвата на тепловых нейтронах, необходимо учитывать возможность реакций (и, у) при облучении их в реакторе. Подробные исследования в этой области проведены Вилардом [128] в частности, обнаружена зависимость процесса радиолиза от фазового состояния. [c.28] Вернуться к основной статье