ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Фотоэлектрические приемники излучения из "Приёмники оптического излучения " Фоторезисюры представляют собой простейшие полупроводниковые структуры с одним типом проводимости, у которых под действием падающего на них оптического излучения происходит изменение проводимости вследствие образования в них носителей заряда (электронов и дырок) и перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости (фоторезисторы с собственной фотопроводимостью), из валентной зоны на примесный уровень или из примесного уровня в зону проводимости (фоторезисторы с примесной фотопроводимостью). [c.9] Фотодиоды представляют собой монолитные структуры, содержащие две области с различными типами проводимости [п- и р-типа), образующие область объемного заряда (называемую р-п переходом). Под действием падающего на одну из областей фотодиода оптического излучения его вольт-а.мперная характеристика из.меняется. [c.9] Лавинные фотодиоды обладают свойством внутреннего усиления фототока, протекающего через освещенный р-п переход. Механизм их работы основан на использовании лавинообразного нарастания числа носителей заряда, образующихся вследствие ударной ионизации в р-п переходе, ширина которого больше длины свободного пробега неосновных носителей заряда. Необходимая энергия для возбуждения валентных электроиов неосновны.ми носителями, втягиваемыми в область р-п перехода, придается путем создания в ней соответствующей напряженности электрического поля. [c.9] Фототранзистор содержит два р-п перехода (один из которых включен в прямом, а другой — в обратном направлениях) и обладает свойством внутреннего усиления электрического сигнала, возникающего под действием света, падающего на одну из его областей (базу). [c.9] Фотоэлементы полупроводниковые состоят из двух контактирующих материалов (металл — полупроводник, полупроводник — полупроводник), которые в контактной области создают запирающий слой, действующий по аналогии с р-п переходом фотодиода. При освещении полупроводника в нем образуются возбужденные носители заряда, разделяемые и перемещаемые запирающим слоем к различным электродам, в результате чего между последними возникает разность потенциалов, т. е. фото-ЭДС. [c.9] В ФПЗС зарядовые пакеты передаются к выходному устройству вследствие направленного перемещения потенциальных ям в объеме полупроводника при подаче на его электроды в соответствующей последовательности тактовых импульсов. [c.10] Вернуться к основной статье