ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Моделирование работы электронных схем Коэффициенты в качестве глобальных параметров из "PSPICE Моделирование работы электронных схем " Подготовьте основной анализ, то есть анализ переходных процессов, в окне Transient, как это показано на рис. 8.21. [c.167] Подготовьте чертеж своей схемы к параметрическому анализу сопротивления R, в соответствии с образцом на рис. 8.22. [c.167] Шаг Руководствуясь данными на рис. 8.23, проведите в окне Parametri предвари-28 тельную установку параметрического анализа дополнительной переменной (сопротивление как глобальный параметр). Задайте изменение значения R нагрузочного резистора R, от R = 4 Ом до R = 12 Ом с интервалами в 1 Ом. [c.167] На диаграмме отчетливо видно, что фильтр оптимально, то есть наиболее быстро, работает только при одном единственном значении и без выбросов достигает своего конечного состояния. Частотная характеристика фильтра также была оптимальной при одном единственном значении нагрузочного резистора (см. рис. 8.19), а именно для К,, = 8 Ом. Хочется надеятся, что значение сопротивления 8 Ом также окажется оптимальным и для переходной характеристики (импульсной характеристики). [c.168] Увеличьте фрагмент диаграммы, изображеной на рис. 8.25, во фронтальной области импульса и определите значение сопротивления, при котором переходная характеристика фильтра является оптимальной (рис. 8.26). [c.168] Увеличенный фрагмент диаграммы ясно показывает, что переходная характеристика данного фильтра является наиболее оптимальной при подключении к динамику с сопротивлением около б Ом. [c.168] Шаг Увеличьте аналогичным образом другой фрагмент той же диаграммы, на этот раз в области затухания импульса, и убедитесь, что процесс затухания импульса данного фильтра является оптимальным также при значении сопротивления около 6 Ом. [c.169] До сих пор вы называли глобальными параметрами только значения компонентов, то есть сопротивление резисторов, индуктивность катушек и емкость конденсаторов. Однако за понятием глобальный кроется гораздо больше. Один и тот же глобальный параметр можно установить в нескольких местах одной схемы и затем изменять его в ходе анализа. [c.171] Рассмотрим такой способ установления глобального параметра на примере схемы фильтра нижних частот RL MIXl.s h, изображенной на рис. 5.19. При этом исследуем влияние уровня импеданса на характеристику частотного фильтра, то есть выясним, как изменяется частотная характеристика, если R, L и С изменяются так, чтобы активное сопротивление R изменялось с тем же коэффициентом, что реактивные сопротивления и Х .. Для того чтобы увеличить Xj и Х .на коэффициент к, нужно индуктивность L умножить на коэффициент к, а емкость С разделить на коэффициент к. [c.171] Откройте окно Parametri и задайте изменение коэффициента к как глобального параметра. При этом варьируйте к от к = 0.4 до к = 2 с интервалами в 0.2. [c.171] Вернуться к основной статье