ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Мелкие локальные уровни в полупроводниках из "Метод функций Грина в статистической механике " Во-первых, речь идет о переносе на случай металла только некоторых феноменологических представлений электронной теории адсорбции и катализа на полупроводниках, но отнюдь не расчетных ее методов. [c.207] Во-вторых, статистика заполнения локальных уровней в данном случае оказывается гораздо более простой, чем в полупроводниках благодаря большой концентрации собственных электронов в металле, уровень Ферми в нем практически фиксирован, и следовательно, характерные для полупроводников эффекты взаимодействия через электронный газ [11] здесь полностью отсутствуют. В этом смысле именно металл, а не полупроводник, весьма похож на классический адсорбент теории Лэнгмюра. [c.207] Подчеркнем, что во всех рассуждениях настоящего параграфа мы не вводили модельных аппроксимаций и не делали никаких предположений специального типа. Были использованы только два утверждения о возможности поставить задачу в квазиодночастичном виде (24.1) и о сильно экранированном характере потенциала примеси, фигурирующего в (24.1). Первое, однако, есть общее следствие спектральных свойств функций Грина ( 9), а второе вытекает хотя бы из соображений размерности. [c.207] Общий метод 24, естественно, можно применить и к полупроводникам. Здесь, однако, имеются некоторые характерные особенности, позволяющие в ряде случаев получить и количественное решение задачи о локальных уровнях. [c.207] Подчеркнем, что в принципе оказывается возможным управлять не только расположением локальных уровней, но и общим их числом и даже самим фактом их существования при достаточно малых значениях радиуса экранирования локальные электронные состояния могут исчезнуть вообще (ср. 24). Экспериментально исчезновение возб окденных и основного локальных уровней могло бы проявиться, например, в исчезновении примесного инфракрасного поглощения при изменении концентрации свободных носителей тока. [c.209] Для оценки соответствующих критических значений Т и п необходимо явно решить уравнение (24.3) в том или ином конкретном случае. Мы рассмотрим здесь простейший вариант водородоподобной модели, считая зоны невырожденными, пренебрегая анизотропией тензора эффективной массы и рассматривая остов примесного атома просто как точечный заряд. Такая постановка задачи является, разумеется, довольно приближенной по этой причине нет смысла учитывать (сравнительно малые) поправки на массовый оператор в (24.3). В качестве потенциала примеси ср (х) мы возьмем здесь выражение (21.12). Действительно, наибольший интерес в рассматриваемой задаче, очевидно, представляют расстояния порядка радиуса боровской орбиты в кристалле 1Р-1те -, последние — при типичных значениях эффективной массы и диэлектрической проницаемости — как правило, заметно меньше средней длины вол 1Ы де-Бройля. [c.209] Как уже указывалось, зависимость энергии ионизации от концентрации электронов влечет за собой и соответствующую зависимость ее от концентрации примеси. Последнее обстоятельство давно уже было обнаружено на опыте (см., например, [13]). Следует, однако, иметь в виду, что эта зависимость может быть обусловлена целым рядом различных причин, не обязательно связанных с экранированием поэтому сопоставление следствий из формулы (25.9) с опытом пока еще преждевременно. [c.210] Множитель 8/Зтс2 возник в связи с переходом от системы обозначений [7] к принятой в этой книге. [c.210] Вернуться к основной статье