ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Явная зависимость тензора еу (а, U) от напряженности слабых внешних полей. Эффект инверсии магнитного поля из "Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов " При этом, поскольку —аксиальный, а Л и —полярные векторы, Л/уь есть обычные тензоры, а АРц, Р]1т, А )1т и Л/у/тп — псевдотензоры. [c.225] Условие отсутствия поглощения требует эрмитовости тензора диэлектрической проницаемости = е. . В этом случае антисимметричные по У тензоры, фигурирующие в (9.1), являются чисто мнимыми. [c.226] При этом, разумеется, остаются в силе все изложенные выше соображения об ограничениях, связанных с принципом симметрии кинетических коэффициентов и симметрией кристалла. [c.227] Вместе с тем необходимо сделать следующее замечание. Разложения типа (9.1) или (9.5) справедливы лишь при условии достаточной малости коэффициентов Ац. .. (ш) и (ш), когда тензоры е. . или являются аналитическими ф) нк-циями напряженностей электрического и магнитного внешних полей. В противном случае ограничиться членами с низшими степенями поля или уже нельзя. Именно такая ситуация может возникнуть в окрестности вырожденного терма в том случае, когда внешние поля приводят к снятию этого вырождения. Последнее, например, имеет место для кубических кристаллов с центром симметрии в окрестности вырожденного уровня, для которого реализуется линейный эффект Штарка ). Ниже предполагается, разумеется, что используемые разложения применимы. [c.227] Вернуться к основной статье