ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Коэффициент шума усилителен на вакуумных триодах и полевых транзисторах из "Шум Источники описание измерение " В настоящем разделе будет развит общий подход к представлению шума в активных четырехполюсниках . Будет также показано, что различные способы подключения прибора к схеме дают аналогичные коэффициенты шума. Соответствующий анализ усилителей на биполярных транзисторах приведен в 7.3. [c.150] Д —f-15 Мгц А/ =0,297 (ДС) мка, масштаб ДС-0,90 пф/дел. [c.152] Сопротивление нагрузки равно 1 ком, в, Vв. Масштаб 0,9 пф, дел. [c.153] Следовательно, измеряя коэффициент шума Рг как функцию es и полагая данные подчиняющимися уравнению вида (7.16), можно определить экспериментальные значения Л, В и С и вычислить отсюда Яп, ёп и в+ё кор (рис. 7.6). Если независимо измерить ёй- то можно вычислить кор- Значение Яп, определенное из рис. 7.6, должно совпадать со значением Яп, найденным из рис. 7.4. Для рассматриваемого примера это действительно выполняется, так как рис. 7.4 дает / = 750 ом на частоте 1 Мгц и 610 ом на 15 Мгц, а из рис. 7.6 Яп = 779 ом на 1 Мгц и 593 ом на 15 Мгц. [c.154] Измерение мин на какой-то одной не слишком низкой частоте позволяет найти D и, следовательно, предсказать значение Рмин в широком диапазоне частот. [c.156] На высоких частотах проводимость ёв крайне велика, и Квых может быть сравнима с так что коэффициент Он мал. Поэтому истоковый повторитель с нейтрализацией не приносит особой пользы на высоких частотах. [c.159] Таким образом приходим к заключению, что все три схемы имеют один и тот же коэффициент шума при одинаковой проводимости источника и той же самой настройке входной цепи. Поэтому сравнение этих схем полезно только тогда, когда желательно проверить правильность техники измерений или допущений, на которых базируется эквивалентность коэффициентов шума этих схем. [c.159] Полевые тетроды представляют значительный интерес для усилителей высокой частоты, поскольку отпадает необходимость в нейтрализации. Поэтому следует дать точное выражение для их коэффициента шума. Соответствующее рассмотрение справедливо также для каскодных схем на полевых транзисторах и вакуумных триодах. Проблема состоит в том, чтобы выяснить, сколь значителен вклад второй половины полевого тетрода в коэффициент щума прибора. В качестве характеристик этого вклада введем второе эквивалентное шумовое сопротивление. [c.160] На рис. 7.8,а показана полная эквивалентная схема прибора, где К з1 и — адмиттансы затвор — исток, а Ут1 и Ут2—комплексные крутизны. Шум затвора первой половины прибора разбит на часть г ди которая полностью коррелирована с шумом стока гаи и часть которая не коррелирована с / ь То же самое сделано с шумом затвора igz второй половины по отношению к шуму стока 1 2. [c.160] ДО тех пор, пока проводимость Гкор не слишком велика. В этом случае влияние второй половины проявляется только в увеличении шумового сопротивления всего ансамбля. [c.162] На относительно низких частотах хаСад С С У п1, Увых + Уя8г С Ут1 и ёп2 Ут1 . В этом случае можно пренебречь сопротивлением Я п1 по сравнению с Яп1, и тогда коэффициент шума тетрода соответствует коэффициенту шума первой половины. Однако вблизи граничной частоты /о транзистора по крутизне сопротивление Я п1 может быть сравнимо или больше, чем Яш, так что необходимо учитывать влияние второй ступени. [c.164] На первый взгляд представляется, что емкость dg оказывает благотворное влияние как на Rnu так и на R ni-Но этот вывод не учитывает влияние Квых на R m. Вблизи граничной частоты по крутизне проводимость Квых становится очень большой, а это способствует значительному увеличению R ni- В большинстве случаев последний эффект доминирует, и поэтому устранение dg нейтрализацией (т. е. настройкой) оказывает положительное воздействие. [c.164] На рис. 7.9 приведены результаты измерения коэффициента шума каскодной схемы на полевом транзисторе с нейтрализацией и без нее, а также при наличии и в отсутствие настройки межкаскадной цепи. Из него следует, что перечисленные меры позволяют значительно улучшить коэффициент шума. [c.165] Иногда необходимо учитывать влияние проводимости резонансного контура ёс. [c.166] Аналогичные результаты должны получаться и для схемы с общей сеткой. [c.167] Вернуться к основной статье