ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Шум генерации — рекомбинации в полевых транзисторах ЮЗ ДРОБОВОЙ ШУМ, ШУМ ТОКОРАСПРЕДЕЛЕНИЯ И ФЛИККЕР-ШУМ Дробовой шум в твердотельных приборах из "Шум Источники описание измерение " Это не означает, что не может существовать других источников шума. На самом деле, как мы впоследствие убедимся, именно так все и обстоит. [c.89] Здесь е — относительная диэлектрическая проницаемость подложки, 80=8,85-10 ф/м, q — абсолютное значение заряда электрона, Na — концентрация атомов акцепторов в подложке, Удиф — диффузионная разность потенциалов и Vb — потенциал подложки, если таковой имеется. Первый член этого уравнения представляет заряд, индуцированный в канале затвором, а второй описывает неподвижный заряд в области пространственного заряда между каналом и подложкой. [c.91] Как и ранее, тройку важнейших параметров составляют Ямакс, gdo=golL, где g(T—проводимость канала при нулевом напряжении стока (Ко = 0), и напряжение отсечки, определяемое условием g (V d)=0. Как gao, так и Ямакс уменьшаются с ростом проводимости подложки, но Ямакс убывает быстрее, чем gdo. [c.91] Так как (Уо) в каждом случае известна, можно вычислить характеристику и проверить выводы, сделанные относительно ёмакс и gdO. [c.91] Пунктирная кривая внизу соответствует случаю нулевой проводимости подложки. [c.95] Здесь и г — последовательные сопротивления неуправляемых частей канала со стороны истока и стока соответственно. [c.96] Таким образом, МОП-транзистор, изготовленный на подложке с высокой проводимостью, имеет большее шумовое сопротивление Рп, чем МОП-транзистор, выполненный на подложке с меньшей проводимостью, если только оба прибора имеют сравнимые значения крутизны ё макс в режиме насыщения. [c.97] Подставляя этот ряд в (5.42) или аналогичный ему ряд в (5.43) и полагая равными нулю коэффициенты при степенях (]о ) выше некоторой выбранной, получаем уравнения нулевого, первого, второго и т. д. до п-го приближения [43]. Последнее обладает тем преимуществом, что дает igi d и крутизну на высокой частоте Упр в виде рядов по степеням ]о). А это очень важно для расчета корреляционного адмиттанса Укор (гл. 7). Выкладки в каждом случае получаются длинные и трудоемкие, и поэтому они здесь опущены. [c.98] АКю между Хо и Ха- -Ахо. [c.99] Из предыдущего анализа следует, что (5.46) и (5.46а) справедливы также для полевого транзистора с р-п переходом. [c.99] Вообще говоря, с — комплексная величина. Однако в рамках использованного приближения с — величина чисто мнимая. [c.100] Из расчетов, выполненных при принятых допущениях для полевого транзистора с р-п переходом, работающего в режиме насыщения, следует, что с ростом величины 2=(—Уй+Удиф)/Уоо 1 1 монотонно убывает от значения с =0,445 при 2 = 0 до с =0,395 при z=. Для МОП-транзистора с высокоомной подложкой с[ =0,395. Для МОП-транзистора с подложкой более высокой проводимости величина le] приблизительно та же самая [45]. [c.100] Таким образом, различные сечения канала дают вклады в которые частично гасят друг друга, тогда каких вклады в и всегда имеют один и тот же знак. Поэтому 1с относительно мал. [c.101] Эквивалентные схемы полевого транзистора приведены на рис. 5.8. На рис. 5.8,а принято, что ток ig втекает в затвор, а id вытекает из стока. На рис. 5.8,6 ток id замещен э. д. с. е = —/ /Ут, включенной последовательно с затвором. Эквивалентные схемы получены в предположении, что емкость dg обратной связи нейтрализована. В этом случае оба варианта эквивалентной схемы аналогичны тем, которые получаются для вакуумного триода при нейтрализации емкости ag (рис. 6.7,в и г). [c.102] Здесь АУУ — число носителей в слое Ах. [c.103] Хотя уравнение (5.60) справедливо для ненасыщенного режима, можно заметить, что его правая часть достигает некоторого предельного значения Si[f), соответствующего режиму насыщения. [c.104] Поэтому правую часть (5.68) следовало бы разделить на 4 при S J ,862 и на 2, если 86 = 862. [c.110] Протекание тока в диодах типа металл—полупроводник является обычно дуффузионным процессом, и шум, связанный с ним, является диффузионным шумом. Можно показать, что этот шум может быть также представлен как шум эмиссии через потенциальные барьеры, и, поскольку акты пересечения носителями потенциальных барьеров образуют последовательность независимых случайных событий, можно ожидать полного дробового шума. [c.112] Ток в р-п переходах протекает благодаря инжекции неосновных носителей в базовую область и их последующей диффузии и рекомбинации. Точный способ описания этого шума был бы связан с введением источников диффузионного шума и шума генерации — рекомбинации неосновных носителей этот метод назван коллективным и рассмотрен в приложении П.2. Но и в этом случае можно показать, что шум можно рассматривать как процесс, связанный с прохождением носителей через потенциальные барьеры, и, поскольку акты прохождения образуют последовательность независимых случайных событий, можно снова ожидать полного дробового щума. Такой подход назван корпускулярным. В приложении П.2 показано, что он полностью эквивалентен коллективному. [c.112] Вернуться к основной статье