ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Фотопроводимость, фотоэффект в р-п-переходах из "Физика твердого тела Изд2 " При исполшванни фогосопротивлеиий надо учитывать плавный спад фототока (добавочного тока при освещении) в области малых длин волн (рис. 7.3,6). Это объясняется тем, что при большом показателе собственного поглощения весь свет поглощается в поверхностном слое кристалла, где очень велика скорость рекомбинации носителей заряда. Вследствие этого время жизни свободных носителей заряда уменьшается и, следовательно, падает их концентрация и фототок. [c.192] Остановимся кратко на работе фотоэлементов с запирающим слоем (диоды с р-п-переходом или диоды Шотгки - гл.6). Ш границе р- и п-областей (т.е. в запирающем слое) происходит разделение неравновесных носителей заряда, созданных светом. В темноте между р- и п-областями диода существует контактная разность потенциалов рк (рис. 7.5,а), при этом в состоянии термодинамического равновесия положение уровня Ферми Ер во всей системе остается постоянным, и с ммарный ток основных и неосновных мо-сителей заряда через переход равен нулю (см. гл. 6). При этом в области шириной о присутствует контамяое поле. [c.195] Вернуться к основной статье