ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Вероятность перескока из "Физика твёрдого тела Локализованные состояния " Мы уже встречались в 12 с прыжковой проводимостью, обусловленной перескоками носителя заряда между локализованными состояниями. Таи причиной локализации было образование малых поляронов. Переход электрона пз самоиидуцированной потенциальной ямы к соседнему узлу решетки стал возможен благодаря соответствующему локальному искажению решетки. Переход происходит за счет участия фонона. [c.143] Электрон проходит расстояние Д= R —КЛ путем туннелирования. Фактором, определяющим вероятность туннелирования, является перекрытие волновых функций этих двух состояний. Простейшим выражением волпо вой функции локализованного состояния является экспоненциально спадающая от центра г з ехр(— г —К, Д), где X —мера протяженности состояния (длина локализации). Если X одинакова для двух состояний, вероятность туннелирования пропорциональна ехр( 2/ Л). [c.144] При заданной У вероятиость перехода и ц уменьшается с увеличением расстояния и падением температуры. Однако, поскольку У является функцией Н (сопоставьте с рис. 44), ы будет иметь максимальное значение прп определенном Н. Ниже мы вернемся к этому. [c.145] Величина в круглых скобках в правой части равенства (3.17) есть полная разность потенциалов между точками К и Rj. [c.146] Вернуться к основной статье