ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Методы и средства радиоскопии (Б. И Леонов, Соснин) из "Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий том 1 " Пластниа выполнена в виде полированной проводящей подложки (алюминий, латунь, а также стекло или бумага с проводящим покрытием), на которую тонким слоем в вакууме нанесены полупроводниковые материалы (аморфный селен, антрацен и др.). Удельное электрическое сопротивле-)1ие полупроводниковых слоев составляет 10 —10 Ом-см до облучения рентгеновским или -у-излучением и 10 —10 Ом-см при облучении. [c.344] Для получения видимого изображения экспонированные пластины проявляют, причем время между окончанием просвечивания и началом проявления не должно превышать 1—2 ч во избежание искажения отпечатка и возникновения вуали. На чувствительный слой осаждают частицы сухих или жидких пигментов, причем число их на единице поверхности пропорционально плотности остаточного заряда. При осаждении частицы пигмента заряжаются в результате трибоэлектрического эффекта, возникающего при трении частиц друг о друга, и удерживаются на пластинке электростатическими силами, которые пропорциональны заряду пластины и частиц. [c.345] При сухом проявлении применяют каскадный метод. Проявляющий порошок изготовляют из смеси мелких частиц пигмента размером 0,1—20 мкм и крупного гранулированного материала размером 200—300 мкм, обеспечивающего достаточный трибоэлектрический заряд. Порошок наносят на пластину в качающемся лотке. Время проявления составляет 5—10 с. [c.345] Дефектоскопия электронами. Ввиду низкой энергии р-частиц радиоактивных изотопов диапазон толщин контролируемых деталей, например алюминиевых, ограничивается несколькими миллиметрами. Применению Р-частиц препятствует широкий спектр энергий, испускаемый радиоактивным препаратом. В связи с этим кривая поглощения аналогична кривой поглощения для квантов рентгеновского и 7-излучений. В случае поглощения моноэнергетических электронов характер кривой поглощения меняется на заднем фронте появляется крутой участок. Поэтому отношение изменения интенсивности излучения к изменению толщины превышает аналогичное отношение для рентгеновского или 7-излучений. Это определяет высокую чувствительность радиографии (до 0,2%) при контроле однородных материалов с использованием быстрых электронов и позволяет контролировать различные объекты, толщина которых соизмерима со средним массовым пробегом электронов в веществе. [c.345] Кроме того, используя обратное рассеяние электронов высокой энергии, можно контролировать массовую толщину покрытий до 1 г/см , т. е. почти на порядок больше, чем в случае применения р-излучения радиоактивных изотопов. [c.346] Благодаря преимуществам перед другими типами ускорителей (надежность, простота в эксплуатации, срав-1П1тельная дешевизна, моноэперге-тичность выведенного пучка электронов, легкость изменения энергии и др.) бетатроны с выведенным электронным пучком являются наиболее удобными источниками электронов высоких энергий (табл. 2С). [c.347] Прохождение и преобразование полезного сигнала в радиографической системе сопровождается возникновением шумов. При прохождении сигнала через объект шум определяется рассеянием излучения, а при регистрации информации на радиографической пленке шум определяется спектром гранулярности, который характеризует гранулярность пленки как спектр шумов в области пространственных частот. [c.347] Другими источниками шума являются шумы всех устройств, через которые проходит информационный сигнал. Задачей радиографического контроля является воспроизведение на снимках малых деталей изображения, минимальный контраст которых находится в диапазоне от 0,006 до 0,02 на фоне перечисленных шумов. [c.347] Рассмотрим последовательно параметры радиографической системы. Входном сигнал 5о (v) в радиографической системе определяется изменением локальной толщины Дб контролируемого объекта и линейным коэффициентом ослабления ионизирующего излучения fi. [c.348] Рассмотрим сначала процесс регистрации этого сигнала детектором для случая, когда толщина объекта равна толщине локальной неоднородности. [c.348] Данная зависимость косвенно учитывает влияние энергии ионизирующего излучения через общую нерез-кость изображения и. [c.348] Следует отметить, что использование ЧКХ для оценки радиографической системы возможно в случае линейности процесса передачи изображения. Применение радиографической пленки для регистрации крупных деталей изображения является случаем нелинейной передачи. [c.348] Для условий промышленной радиографии, когда регистрируются малые объекты, использование рентгеновской пленки можно рассматривать как случай линейной передачи. [c.348] МОЩЬЮ МОЖНО определять качество передачи сигнала на всех стадиях радиографического процесса. [c.349] На рис. 50 приведены расчетные значения ЧКХ для различных источников излучения. Из графиков следует, что ЧКХ зависит от энергии ионизирующего излучения и толщины материала, достигая оптимальных значений в интервале контролируемых толщин. В то же время ЧКХ практически не зависит от типа пленки при одной и той же энергии излучения. [c.349] Контраст изображения С (v) зависит от толщины объекта S (вследствие изменения (х и S) и величины локальной неоднородности Аб (рис. 51). [c.349] Влияние системы обработки информации на изменение выходного сигнала определяется ее частотно-контрастной характеристикой Тс (v), при этом процесс передачи изображения является линейным. Измерение и расчет ЧКХ подобных систем хорошо изучены. [c.349] Шум радиографической пленки определяется, как уже указывалось ранее, спектром гранулярности, который представляет спектр шумов в области пространственных частот. [c.349] Анализ приведенных зависимостей показывает, что разрешающая способность при контроле стали для источников Y-излучения и в интервале энергий 100—1000 кВ рентгеновского излучения лежит в пределах 0,5—40 мм . Причем каждому значению энергии источника излучения, используемого для контроля определенного интервала толщин материалов, соответствует определенный диапазон Яд, который с ростом энергии быстро убывает. [c.352] Вернуться к основной статье