ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Лазерно-индуцированные неустойчивости поверхности конденсированных сред и образование упорядоченных поверхностных струкВводные замечания из "Физика мощного лазерного излучения " как мы видели в п. 2.7.3, для ИЛО с наносекундными лазерными импульсами установлена справедливость расплавной модели, то физика процессов, возникающих при ИЛО с пикосекундными импульсами, до конца еще не выяснена. [c.153] Обнаружено, что коэффициент линейного отражения R импульсов с Л = 1,06 мкм, использованных для воздействия на поверхность Si, испытывает резкое возрастание лишь при достижении плотности энергии этих импульсов, соответствующих порогу аморфизации, а не кристаллизации, что послужило основанием для привлечения гипотезы твердофазного отжига, происходящего без плавления. [c.153] Появление кольцевых структур, состоящих из кристаллических и аморфных областей, при пикосекундном возбуждении наблюдалось и в GaAs. [c.153] Имеется ускоряющее влияние на кинетику кристаллизащ1и ионно-им-плантированных слоев кремния при импульсном нагреве. Детальный анализ плавления аморфного 81 показывает, что фазовый переход из жидкого состояния в аморфное нельзя объяснить, исходя только из термодинамических соображений, и что определенную роль при этом играет неравновесный характер этого процесса, связанный с переохлаждением расплавленного аморфного кремния. [c.154] Типичная схема опыта по наведению периодического рельефа на первоначально гладкой поверхности очень проста. Несфокусированный пучок импульсного лазера падает на поверхность поглощающего твердого тела с поверхностью взаимодействует почти плоская световая волна. Тем не менее на освещенной поверхности возникает периодическая модуляция рельефа. Она образуется в процессе взаимодействия (длительность которого изменяется от 10 до 10 с) и обычно сохраняется после его прекращения. На рис. 2.30 показаны примеры наведенных различными типами лазеров периодических структур на различных материалах. [c.154] Многочисленные опыты с применением высокоскоростных методов диагностики показали, что развитие периодических структур во времени носит характер нарастания неустойчивостей динамика развития последних имеет много общего с хорошо известными в нелинейной оптике неустойчивостями при вынужденном рассеянии (см. гл. III). [c.154] Впервые такие периодические структуры наблюдались более 20 лет назад при облучении полупроводников Ge и Si импульсами излучения рубинового лазера [30]. Но лишь с 1980 г. начались интенсивные экспериментальные и теоретические исследования эффекта образования поверхностных решеток. [c.154] К настоящему времени благодаря интенсивным экспериментальным и теоретическим исследованиям уже в основном сложилась физическая картина генеращ1и поверхностных периодических структур [25, 31]. [c.155] Для сильно поглощающей поверхности процесс образования периодической структуры схематически можно представить следующим образом. [c.155] При этом возможно (и часто реализуется в эксперименте) возникновение неустойчивостей за счет положительной обратной связи по следующей схеме появление рельефа поверхности определенного периода и фазы способствует повышенному поглощению в пиковых позициях структуры, что еще более увеличивает глубину модуляции температуры и приводит к дальнейшему повышению поглощения и т.д. [c.156] Вернуться к основной статье