ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электронная поляризуемость ионов из "Введение в физику твёрдого тела " Однако в оптической области зависимость поляризуемости от частоты (дисперсия) довольно слабая и для большинства прозрачных материалов обычно мало существенна. [c.481] Ориентационная поляризуемость. Статическая диэлектрическая проницаемость воды при комнатной температуре равна 81, а при оптических частотах — всего лишь 1,77. Это различие связано главным образом с ориентационной поляризацией, которая, будучи эффективной при низких частотах, становится значительно менее существенной для частот, превышающих 10 ° Гц. На рис. 13.14 показана типичная температурная зависимость ориентационной поляризуемости молекул метанового ряда. Молекула H3 I имеет наибольший постоянный электрический дипольный момент, а молекулы крайних членов метанового ряда, СН4 и U, симметричны и вообще не обладают постоянным дипольным моментом. [c.482] Соотношение (13.49) определяет функцию Ланжевена Ь х). График этой функции ) приведен на рис. 13.15 ясно видно, что при рЕ квТ она обнаруживает насыщение. [c.483] Для дипольных моментов часто применяют единицу дипольного момента — дебай (обозначается D), равную 10 СГСЭ-ед.заряда-см она имеет порядок величины произведения заряда электрона на межатомное расстояние. [c.484] Диэлектрическая проницаемость е твердого сероводорода (HaS) как функция температуры показана на рис. 13.16. Следует обратить внимание на резкое возрастание е при понижении температуры и скачкообразное падение в области 105°К, что, по-видимому, свидетельствует о переходе в упорядоченное состояние, в котором направления осей молекул Нг образуют правильное расположение. Ход изменения в выше температуры перехода может навести на мысль о свободном вращении, однако, с другой стороны, вид графика в целом скорее можно объяснить, допуская лишь несколько дискретных разрешенных ориентаций для каждого диполя, так что наблюдаемая зависимость е от Т едва ли может служить доказательством свободного вращения. [c.485] В твердых и жидких телах, состоящих из полярных молекул, основная доля разности между низкочастотным и высокочастотным (оптическим) значениями диэлектрической проницаемости обусловлена вкладом ориентационной поляризации (напомним, что высокочастотная диэлектрическая проницаемость равна квадрату показателя преломления). Время релаксации мы выше ввели как интервал времени, характеризующий быстроту возвращения возмущенной системы в равновесное состояние. Введем теперь частоту релаксации как величину, обратную времени релаксации. Когда частота внешнего переменного поля выше частоты релаксации, изменения, происходящие в системе, не будут следовать изменениям поля, т. е. реакция системы на воздействие поля будет запаздывать во времени. [c.485] Температурная зависимость диэлектрической проницаемости льда при различных частотах [15]. Значения частоты в Гц приведены около кривых. [c.486] Графики зависимости е и е от произведения сот приведены на рис. 13.18. Заметим, что уменьшение г (вещественной части е) имеет место вблизи максимума е (мнимой части е). Такой ход изменения г и г с частотой служит частным примером более общего результата ), согласно которому зависимость б (со) от частоты влечет за собой также и зависимость в (со) от частоты. [c.487] В системе СИ следует заменить 4я на 1/ео. [c.487] Ез(Г))—поле в точке Г/, создаваемое всеми атомами, находящимися внутри малой сферы с центром в точке r . [c.488] В системе единиц СИ имеем % = Р/воЕ. [c.488] Решить ту же задачу в системе СИ, приняв деполяризующий фактор равным 1/3. Получится тот же результат. [c.489] Известно, что е(оо) = 28. Исходя из этих данных и используя формулу Лиддейна — Сакса— Теллера, показать, что е(0) 300. [c.492] Указание Прн решении этой задачи нет необходимости вычислять локальное поле ос Это только осложнило бы дело, ибо величины ей/ (диэлектрическая восприимчивость) определяются одна из другой, поскольку Р = %Е. Потребуем, чтобы при введении сферы Ео не изменялось. Этого можно добиться, наведя заряды противоположного знака на две тонкие пластины диэлектрика и расположив их на достаточном расстоянии одна против другой и от вводимой сферы тогда поле пластинок нри введении между ними сферы пе будет изменяться. [c.492] Приведенные выше выражения даны в системе единиц СГС. [c.492] Сегнетоэлектричество в ионных кристаллах (497). [c.493] Природа фазового перехода в сегнетоэлектриках (500). Фазовый переход второго рода (5Э1). Фазовый переход первого рода (503). [c.493] В сегиетоэлектрических кристаллах электрический дипольный момент существует даже в отсутствие внещнего электрического поля. В сегнетоэлектрическом состоянии центр положительных зарядов всего кристалла не совпадает с центром отрицательных. [c.493] Вернуться к основной статье