ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Экранирование локализованными носителями заряда из "Основы физики поверхности твердого тела " например, в кристалле, помимо полностью ионизированных доноров и акцепторов, имеются непрерывно распределенные по энергии уровни дефектов, плотность которых УУ, (в расчете на единицу объема и интервал энергии кТ ) постоянна. В этом случае р(г) 2 9 [/)(г) -/)о] - - о] - Л, К . При малых изгибах зон У 1 это выражение можно упростить р(. ) = + N,). [c.21] Даже при небольшой плотности глубоких дефектов УУ, = 3,8-Ю см 3. эВ (10 см /кТ при Т = ЗООК), что соответствует среднему расстоянию между глубокими центрами в ОПЗ в десятки нанометров, длина экранирования Дебая в диэлектрике (е = 4 о, Д) будет всего 75 мкм. [c.21] Очевидно, что при любом распределении глубоких центров по энергии участвовать в электростатическом экранировании будут лишь те из них, энергетические уровни которых находятся вблизи уровня Ферми, так что под М, в формуле (1.12) следует понимать плотность именно таких состояний в ОПЗ. [c.21] В диэлектриках с заметной ионной проводимостью электростатическое экранирование, по крайней мере частично, может осуществляться за счет накопления ионного заряда в приповерхностной области. В итоге дебаевская длина экранирования станет еще меньше. [c.21] Вернуться к основной статье