ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электростатическое экранирование свободными носителями заряда из "Основы физики поверхности твердого тела " Приведем количественные оценки величины д в нескольких случаях. Для типичного полупроводника — несобственного кремния -типа (е = 11,9 о = см ) при комнатной температуре д s 0,13 мкм. При увеличении концентрации свободных носителей заряда до о 5-10 см (такая концентрация свободных электронов характерна для полуметалла висмута) вычисление по формуле (1.8) приводит к значению д = 6 нм для концентрации о = см (металл) — д 0,1 нм. [c.20] Два последних числа следует рассматривать как сугубо ориентировочные, поскольку соотношение (1.8) получено в предположении, что вырождение отсутствует. Для металлов и вырожденных полупроводников тепловую энергию кТ следует заменить на энергию Ферми ), а под е понимать диэлектрическую проницаемость одной решетки, без электронного вклада (обычно е = 1). Такой расчет дает для алюминия F= 11,6 эВ, о = 1,8- см ) дебаевскую длину экранирования д S 0,05 нм. [c.20] При уменьшении концентрации свободных носителей заряда д быстро увеличивается. Например, для собственного кремния (л, = 1,510 о см ) при Г= 300 К д S 25 мкм, а для собственного арсени-да галлия с концентрацией носителей заряда , = 1,5-10 см з комнатной температуре д 2 мм. [c.20] Вернуться к основной статье