ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Фотопроводимость сульфида цинка и галоидов серебра из "Современная теория твердого тела " Это значит, что плотность захватывающих центров очень мала по сравнению с плотностью атомов внедрения, которая, как правило, равна 10 сл . Более того, так как форма кривой тока насыщения не зависит от интенсивности света, мы не можем утверждать, что захватывающие центры являются центрами ионизации. До сих пор не дано удовлетворительного объяснения процессу захвата ). [c.601] Прн непрерывном освещении кристалла ультрафиолетовым светом при комнатной температуре и одновременном приложении к кристаллу электростатического поля большой напряжённости могут быть получены более высокие значения тока по сравнению с током насыщения рнс. 267. Рнс. 270 показывает отклонение от линейности кривых полного заряда, удаляемого нз кристалла, в функции времени при различных значениях напряжённости поля. Этн вторичные токи, подобные вторичным токам в окрашенных галоидных солях, количественно не изучены. [c.602] Фотопроводимость, качественно похожая на фотопроводимость сульфида цннка, была обнаружена и во многих других естественных и искусственных кристаллах. Самые замечательные среди них — это селен и галоиды серебра. Первый из них используется в фотоэлементах и интенсивно изучался для практических целей. Эти результаты, однако, для теории дают очень немного. [c.602] Как мы видели в 132, Иост и Нелеп дали теоретическое доказательство того, что в галоидах серебра дефектами решётки являются внедрённые ионы серебра. Таким образом, возможно, что источником фотоэлектронов является либо внедрённый нон серебра, еслн он несёт с собой электрон, нлн отрицательные ионы вблизи дырок, если внедрённый нон не даёт электрона. Мотт ) указал, что можно предположить, что фотоэлектроны в этих солях образуются при тепловом распаде экситонов, возникающих благодаря поглощению в основной полосе. [c.604] Вернуться к основной статье