ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Окислы и сульфиды щелочио-земельиых металлов из "Современная теория твердого тела " Позднее Тиббс ) исследовал подобным методом полосы проводимости хлористого натрия и показал, что эффективная масса электронов проводимости близка к единице. [c.470] В приближении Хартри интегрирование по распределению заряда внутри сферы лития в случае фтористого лития даёт 0,95в. Это значение, несомненно, слишком велико, поскольку ни обменный эффект, ни эффект корреляции не учитывались. Несколько лучшее значение может быть получено при учёте этих членов согласно Шокли, а именно, исключением одной единицы электронного заряда при определении поля внутри сферы фтора. Г рубая оценка показывает, что это должно, повидимому, понизить заряд в сфере лнтия до 0,5в, причём примерно 0,05 валентного электрона должно остаться в сфере с радиусом, равным классическому радиусу иона лнтия. Такая оценка даёт хорошее согласие с приближением Борна-Майера, согласно которому заряд в этой сфере равен нулю, так как поправка к энергии Маделунга должна составлять только около 5 /о, что меньше, чем поправка при учёте отталкивательных членов. [c.471] На рис. 212 и 213 изображены кривые г (К) для основных кристаллографических направлений ). Точки соответствуют вычисленным значениям, сплошные кривые получены с помощью интерполяции. [c.471] Верхняя кривая второй полосы для фтористого лнтня дважды вырождена в направлениях [ЮО] н [111]. Это вырождение также имеет место и по Шокли. [c.472] Одна из важных черт зонной схемы та, что наивысшая полоса имеет ширину в несколько вольт. Хотя эти значения, вероятно, слишком велики, поскольку для их получения использовались поля Хартри, порядок величины, несомненно, правилен. [c.472] Резюмируя всё вышесказанное о нормальных состояниях галоидно-ще.почных соединений, можно сказать, что распределение заряда в решётке весьма близко к тому, которое наблюдалось бы, еслн бы кристалл был построен из свободных положительных и отрицательных ионов. Наннизшая -полоса зонной картины очень узка, откуда следует, что 5-оболочка нона галоида возмущена незначительно. Ширина р-полосы порядка 1 еУ это указывает на то, что соседние ноны значительно перекрываются, и обменное взаимодействие — величина порядка 1 еУ. Это значение ширины полосы означает также, что эффективная масса свободной дырки в р-полосе сравнима с массой электрона. [c.472] Можно построить правдоподобные диаграммы энергетических уровней для некоторых щёлочно-земельных солей, используя данные об энергетических уровнях, полученные из борновских условий цикличности и из спектроскопических измерений для свободных ионов. В качестве примеров возьмём окись цинка и сульфид цинка, свойства которых типичны для всех других элементов этой группы солей. Окись иинка имеет кристаллическую решётку типа вюрцита, которую также имеет сульфид цинка при высоких температурах. Низкотемпературная форма сульфида цинка обладает характерной решёткой, подобной алмазу. [c.474] Мы начнём с рассмотрения энергии, необходимой для того чтобы перенести электрон от свободного отрицательного иона к свободному иону цинка. Полные энергии электронного сродства О— и 5— были определены приближённо с помощью борновского условия цикличности, они равны примерно — 7 и — 4 еУ. Лозье ) определил экспериментально сродство атома кислорода к электрону и нашёл, что оно равно 2,2 0,2 еУ это показывает, что отрицательное сродство кислорода к двум электронам полностью объясняется наличием второго электрона и что энергия, необходимая для удаления одного электрона от О—, равна примерно — 9еУ. Энергетические уровни О— относительно нормального состояния 0 изображены ) на рис. 215 справа. Вследствие того, что О— и 8— имеют примерно такие же классические радиусы, как Р- и С1 , соответственно, можно заключить, что электронная структура первой пары ионов весьма подобна структуре второй пары. [c.474] Сродство галоидов уменьшается с увеличением номера в периодической системе элементов. На этом основании мы предположим, что сродство атома серы к отдельному электрону примерно на 1 еУ меньше. [c.474] что н рис. 215, для сульфида цинка. Слева ) положения уровней нейтрального цинка, меди и Си++. [c.476] Если это справедливо, первый абсорбционный максимум окиси цинка должен лежать около 1200 А. Повидимому, не имеется работ по абсорбции в ультрафиолетовой области для этой соли. [c.476] Диаграммы ), подобные рис, 215 и 216, могут быть построены для любого ионного кристалла, для которого имеются необходимые данные. [c.476] Некоторое дополнительное использование этих диафамм будет дано в 113. [c.477] Вернуться к основной статье