ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Люминесценция при локализации экситонов и наличии примесей в кристаллах из "Теория твёрдого тела " Обычно даже хорошо очин енные кристаллы содержат небольшое число примесных атомов и молекул. Иногда такие примеси внедряются в кристаллы из окружающей среды или вводятся искусственно. Различного рода дефекты решетки и тепловые флуктуации плотности также являются своеобразными примесями. Если энергия таких локальных образований немного меньше энергии дна нижайшей экситонной зоны, то при установлении квазиравновесного распределения при низких температурах энергия возбуждения переходит на локальные образования. [c.605] Экситонный механизм передачи энергии от поглотившего центра к центру свечения привлекался к объяснению сенсибилизированной люминесценции молекулярных и полупроводниковых кристаллов. При движении по кристаллу экситоны рассеиваются на фононах. Если время жизни экситонов значительно превышает среднее время между двумя столкновениями их с фононами, то распределение экситонов в кристалле можно описать с помощью диффузионного уравнения (см. 61). Представление о диффузионном характере движения экситонов использовалось в работах Аграновича и Файдыша [481] и в ряде других работ. [c.606] В теоретической работе Аграновича и Конобеева [482] было показано, что при температурах, превышающих температуру, соответствующую кинетической энергии экситонов, коэффициент диффузии экситонов, определяемый их взаимодействием с фононами, обратно пропорционален квадратному корню из температуры. При понижении температуры коэффициент диффузии приближается к постоянному значению. В случае локализованных экситонов коэффициент диффузии изменяется по экспоненциальному закону D = Do ехр (— QikT), где Q — энергия активации. При рассеянии на границах зерен коэффициент диффузии пропорционален корню из температуры. [c.606] Весьма существенно, что температурная зависимость коэффициентов диффузии свободных и локализованных экситонов качественно различается. Это обстоятельство позволяет экспериментально определить природу элементарных возбуждений, участвующих в переносе энергии. [c.606] При узких экситонных зонах и высоких температурах кривые излучения и поглощения имеют аналогичный характер температурной зависимости. У них одинаковые полущирины и одинаковая по величине, но противоположная по знаку асимметрия. Кривая формы полосы поглощения развертывается в сторону больших частот, а кривая излучения в сторону меньших частот. [c.608] Вернуться к основной статье