ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Возбуждение триплетных экситонов в кристаллах из "Теория твёрдого тела " Другой метод возбуждения триплетных экситонов в кристаллах антрацена был использован Вайсцем с сотрудниками [399]. В этом эксперименте возбуждение триплетных экситонов осуществлялось косвенным путем через возбуждение светом синглетного состояния Вга- Энергия синглетного возбуждения переходит в энергию триплетных состояний безызлучательным путем. Образование триплетных экситонов обнаруживалось по появлению замедленной -40 флуоресценции с синглетных состояний Вга, образуемых при встрече триплетных экситонов. [c.509] Гайдидей и Петров [400] исследовали теоретическую возможность возбуждения светом пар триплетных экситонов с участием виртуальных синглетных состояний. Ниже мы изложим основы этой теории. [c.509] Для упрощения записи будем рассматривать молекулярный кристалл с одной молекулой в элементарной ячейке. Пусть молекулы закреплены кубической решетки. [c.509] Первое слагаемое в фигурных скобках (58.28) учитывает взаимодействие между триплетными экситонами в паре, второе и третье слагаемые характеризуют эффект отталкивания , обусловленный невозможностью одновременного присутствия двух триплетных возбуждений на одной молекуле. [c.512] Усреднение (О ... 0) в (58.33) ведется по основному состоянию кристалла. [c.512] Исключая из системы уравнений (58.36) и (58.38) функции F n, ш), найдем явные выражения фурье-образов G/(0, ш) Су( в), определяющих в (58.31) диэлектрическую проницаемость. Вследствие быстрого убывания матричных элементов Wno, Vпо и М о при возрастании л в суммах по п можно учитывать только ближайших соседей. [c.513] Согласно (58.31) мнимая часть (58.44) дает вклад в мнимую часть диэлектрической проницаемости и, следовательно, в поглощение кристаллом света данной частоты со. [c.514] Поглощение, определяемое выражением (58.45), обусловлено рождением через виртуальные синглетные состояния / пары триплетных экситонов с противоположными спинами. Относительный вклад каждого -то виртуального синглетного состояния (это могут быть и вибронные молекулярные возбуждения) и вносимое им распределение интенсивности в полосе поглощения зависит от значений параметров й/, Ау, а, р и Мт. Рассмотрим некоторые предельные случаи. [c.514] Следовательно, функция (58.56) определяет в (58.31) поглощение, обусловленное синглетными экситонами полосы /. [c.516] Вернуться к основной статье