ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Осцилляции магиитопоглощения из "Теория твёрдого тела " При низкой температуре возможны непрямые переходы только с испусканием фононов. Следовательно, при непрямых переходах происходит поглощение фононов с частотами со, удовлетворяющими неравенству tlai Eg (рис. 53). [c.306] Вероятность непрямых межзонных переходов значительно меньше вероятностей прямых переходов. Поэтому при их вычислениях можно пользоваться теорией возмущений. В теории возмущений фотопереходы из начального состояния и, в конечное состояние с, кх) выступают как процессы второго порядка, осуществляемые через промежуточные состояния типа с, к). [c.306] Коэс[)фициент поглощения света при непрямом межзонном фотопереходе в кристаллах с параболическими валентной зоной и зоной проводимости, имеющими экстремумы при к = 0, вычислялся в работе [173]. [c.306] Формула (42.38) справедлива и. для непрямых переходов дырок,-если в (42.39) заменить отношение отношением гпс/т. [c.308] На рис. 54 приведена (в произвольных единицах) зависимость от длины волны коэффициентов поглощения фотонов в Се при прямых и непрямых переходах, рассчитанная в работе [174]. Экспериментальные исследования поглощения фотонов при непрямых оптических переходах в германии исследовались в работе [175]. [c.309] С другой стороны, при поглощении фотона при непрямом переходе электрона с участием примеси из-за большой массы последней она практически не принимает на себя энергию. Поэтому энергия поглощаемого фотона равна выражению (42.41). Естественно, что вероятность такого процесса пропорциональна концентрации примеси. Непрямые межзонные переходы при куло-новском взаимодействии электронов с ионизованными примесями исследовались в работе [180]. [c.309] МОСТИ (валентной зоне). При этом соответствующая квазичастица изменит свою энергию, т. е. нагреется или охладится . Вероятность таких переходов пропорциональна концентрации квазичастиц в зонах. [c.310] Нужную кинетическую энергию можно сообщить электронам внешним электрическим полем. Одновременное выполнение законов сохранения энергии и квазиимпульса (42.42) будет возможно только в полупроводниках, у которых смещение экстремумов зон в /г-пространстве меньше (42.42). Если же эти экстремумы сильно смещены (случай германия и кремния), то квазиимпульс электрона нужной энергии в зоне проводимости оказывается слишком малым, чтобы одновременно выполнялся закон сохранения (42.42). [c.310] Простая картина явления, указанная на рис. 55, значительно усложняется в реальных полупроводниках вследствие анизотропии кристаллов, вырождения энергетических зон и эффекта кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой. Последний эффект для идеализированного случая простых невырожденных полупроводников и при введении ряда упрощающих предположений рассматривался во многих работах [188—191]. [c.311] Вернуться к основной статье