ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Собственное поглощение фотонов в полупроводниках из "Теория твёрдого тела " Поглощение света при переходе электрона из валентной зоны в зону проводимости полупроводника называют собственным меж-зонным поглощением. При поглощении фотона в кристалле образуется пара квазичастиц — электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Для истинного поглощения света необходима диссипативная подсистема, которая изменяла бы состояние электрона и дырки так, чтобы они не могли сразу же аннигилировать с испусканием поглощенного фотона. В кристалле такой подсистемой являются фононы колебаний решетки кристалла. Они обеспечивают процессы релаксации с некоторым эффективным временем г. [c.299] Приведенные выше формулы остаются справедливыми и в случае анизотропных кристаллов, если векторы е п Q направлены вдоль главных направлений тензора диэлектрической проницаемости 8 (со). [c.300] Если в полупроводнике минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны находятся в различных точках зоны Бриллюэна (как в германии и кремнии), то прямые (вертикальные) переходы начинаются с энергии ha Eg. При этом, как и в случае анизотропии, при вычислении вещественной части тензора проводимости надо пользоваться общим выражением (42.23). [c.304] Они могут также наблюдаться вдоль осей симметрии третьего или четвертого порядка. В этом случае равны нулю компоненты градиентов, перпендикулярные, осям симметрии. [c.304] Частным случаем этого выражения было (42.28). В соответствии со знаком эффективных масс в (42.31) критические точки можно разбить на четыре группы, которые обозначаются буквой где 5 = 0, 1, 2, 3 —число отрицательных эффективных масс в равенстве (42.31). При критическая точка соответствует минимуму Ес.Ф), при Л1з —максимуму. Точки и являются седловыми точками для Ес. к). [c.305] Вернуться к основной статье